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MOSFET-Module | Microsemi
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Information
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| Bild | Produkt anzeigen | Hersteller-Nr | ||||||
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| picture_as_pdf |
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Microsemi | MOSFET-Module von Microsemi | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- |
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-- | APTM100UM65SAG-MOSFET-Modul. | SEHEN SIE ES | APTM100UM65SAG | Verfügbare Menge | 145 A | 1000 V |
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Wir sind ein erfahrener Lieferant von wichtigen Produkten für die Transistorkategorie.
Feldeffekttransistoren
Wir bieten zwei Arten von Feldeffekttransistoren an: MOSFET- und IGBT-Transistoren.
MOS-FET Transistoren
MOS-FET Transistoren funktionieren gut in Parallelschaltungen. Sie können parallel geschaltet werden, bis zu mehreren Dutzend Stück. Sie sind leicht zu steuern und erfordern keine Korrektur der Stromverteilung zwischen ihnen.
IGBT Transistoren
IGBT Transistoren zeichnen sich durch einen geringen Durchlassspannungsabfall (von 2,15 bis 5,2V) bei hohen Strömen (10 bis 3600A), die Fähigkeit, hohe Spannungen zu blockieren (250 bis 6500V), Spannungssteuerung über ein isoliertes Gate und hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Sie werden in Form von Standardmodulen, Hochfrequenzmodulen, Hochspannungsmodulen sowie intelligenten Modulen und hochspannungsintelligenten Modulen hergestellt. Zusätzlich werden Hochspannungs-Diodenmodule für die Zusammenarbeit mit IGBT-Transistoren angeboten.
IGBT Transistoren, die als intelligente Module hergestellt werden, enthalten neben den Transistoren auch Schaltungen zur Steuerung sowie Kurzschluss- und Überspannungsschutz.