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Modules MOSFET | Microsemi
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Microsemi | MODULES MOSFET - MICROSEMI | VOIR | -- | En commande | -- | -- |
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-- | APTM100UM65SAG Module MOSFET | VOIR | APTM100UM65SAG | En commande | 145 A | 1000 V |
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Nous sommes un fournisseur expérimenté de produits essentiels pour la catégorie des transistors.
Transistors à effet de champ
Nous proposons deux types de transistors à effet de champ : les transistors MOSFET et IGBT.
Transistors MOS-FET
Les transistors MOS-FET fonctionnent bien en connexions parallèles. Ils peuvent être connectés en parallèle jusqu'à plusieurs dizaines d'unités. Ils sont faciles à contrôler et ne nécessitent pas de correction de la répartition du courant entre eux.
Transistors IGBT
Les transistors IGBT se caractérisent par une faible chute de tension (de 2,15 à 5,2V) à haute intensité (10 à 3600A), la capacité de bloquer des tensions élevées (250 à 6500V), un contrôle en tension via une grille isolée et une grande vitesse de commutation. Ils sont produits sous forme de modules standard, modules haute fréquence, modules haute tension, ainsi que modules intelligents et modules intelligents haute tension. De plus, des modules de diodes haute tension pour travailler avec les transistors IGBT sont proposés.
Les transistors IGBT fabriqués sous forme de modules intelligents contiennent, en plus des transistors, des circuits pour leur contrôle ainsi que des protections contre les courts-circuits et les surtensions.