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Modules MOSFET SiC | Mitsubishi
Catégories
Nous sommes un fournisseur expérimenté d'articles essentiels pour la catégorie des transistors.
Transistors à effet de champ
Nous proposons deux types de transistors à effet de champ : MOSFET et IGBT.
Transistors MOS-FET
Les transistors MOS-FET fonctionnent bien en connexion parallèle. Ils peuvent être connectés en parallèle jusqu'à plusieurs dizaines d'unités. Ils sont faciles à contrôler et ne nécessitent pas de correction dans la répartition du courant entre eux.
Transistors IGBT
Les transistors IGBT se caractérisent par une faible chute de tension (de 2,15 à 5,2 V) à courant élevé (10 à 3600 A), la capacité de bloquer de hautes tensions (250 à 6500 V), le contrôle de tension via une grille isolée et une grande vitesse de commutation. Ils sont produits sous forme de modules standard, modules haute fréquence, modules haute tension, modules intelligents et modules intelligents haute tension. De plus, des modules de diodes haute tension sont proposés pour fonctionner avec les transistors IGBT.
Les transistors IGBT fabriqués sous forme de modules intelligents incluent, en plus des transistors, des circuits de commande et des protections contre les courts-circuits et les surtensions.