shopping_cart
Krepšelis
0,00 PLN
0
Iškarpinė
Jūs turite būti prisijungę
Tranzistoriai | GeneSiC
Kategorijos
Informacija
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
| Paveikslėlis | Peržiūrėti produkt | Gamintojo nr. | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G2R325MS65-CAx | PAMATYKITE | G2R325MS65-CAx | Galimas kiekis | Die | 15 | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 325 | -- | -- | 6500 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F34MT12K tranzistorius | PAMATYKITE | G3F34MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | 63 A | -- | 45 A | -- | -- | 1200 V | -- | 34 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F34MT12J tranzistorius | PAMATYKITE | G3F34MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | 1200 V | -- | 34 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F25MT12J tranzistorius | PAMATYKITE | G3F25MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 87 A | -- | 61 A | -- | -- | 1200 V | -- | 25 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F25MT12K tranzistorius | PAMATYKITE | G3F25MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 25 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F18MT12K tranzistorius | PAMATYKITE | G3F18MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 18,5 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F18MT12J tranzistorius | PAMATYKITE | G3F18MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 122 A | -- | 86 A | -- | -- | 1200 V | -- | 18,5 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F60MT06L tranzistorius | PAMATYKITE | G3F60MT06L | Galimas kiekis | TOLL | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | 650 V | -- | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F45MT06L tranzistorius | PAMATYKITE | G3F45MT06L | Galimas kiekis | TOLL | 61 A | -- | 43 A | -- | -- | 650 V | -- | 42 mΩ | 55 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F33MT06L tranzistorius | PAMATYKITE | G3F33MT06L | Galimas kiekis | TOLL | 90 A | -- | 64 A | -- | -- | 650 V | -- | 28,5 mΩ | 38 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F25MT06L tranzistorius | PAMATYKITE | G3F25MT06L | Galimas kiekis | TOLL | 125 A | -- | 88 A | -- | -- | 650 V | -- | 20,5 mΩ | 29 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | PAMATYKITE | G3F75MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | 30 A | -- | 21 A | -- | -- | 1200 V | -- | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | PAMATYKITE | G3F75MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 31 A | -- | 22 A | -- | -- | 1200 V | -- | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | PAMATYKITE | G3F40MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | 55 A | -- | 39 A | -- | -- | 1200 V | -- | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | PAMATYKITE | G3F40MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 59 A | -- | 42 A | -- | -- | 1200 V | -- | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | PAMATYKITE | G3F20MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | PAMATYKITE | G3F20MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 108 A | -- | 76 A | -- | -- | 1200 V | -- | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K | PAMATYKITE | G3F60MT06K | Galimas kiekis | TO-247-4 | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | 650 V | -- | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F65MT12J tranzistorius | PAMATYKITE | G3F65MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 37 A | -- | 26 A | -- | -- | 1200 V | -- | 65 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F65MT12K tranzistorius | PAMATYKITE | G3F65MT12K | Galimas kiekis | TO-247-4 | 35 A | -- | 25 A | -- | -- | 1200 V | -- | 65 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F135MT12J tranzistorius | PAMATYKITE | G3F135MT12J | Galimas kiekis | TO-263-7 | 18 A | -- | 13 A | -- | -- | 1200 V | -- | 135 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G2R300MT65-CAx | PAMATYKITE | G2R300MT65-CAx | Galimas kiekis | Die | 16 | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 300 | -- | -- | 6500 |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G2R50MS65-CAx | PAMATYKITE | G2R50MS65-CAx | Galimas kiekis | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC tranzistorius G2R50MT65-CAx | PAMATYKITE | G2R50MT65-CAx | Galimas kiekis | Die | -- | -- | -- | -- | -- | -- | Industrial | 50 | -- | -- | 6500 |
Rezultatai puslapyje:
GeneSiC SiC MOSFET tranzistoriai užtikrina puikų laidumą ir perjungimo našumą, palyginti su siliciu (Si), dėl savo „plataus uždraustojo tarpo“ charakteristikų ir didelio elektrinio lauko stiprio.
GeneSiC patentuota Trench-Assisted Planar technologija užtikrina mažiausią RDS(ON) koeficientą aukštose temperatūrose ir mažiausius energijos nuostolius dideliais greičiais. Tai leidžia pasiekti precedento neturintį, pramonės lyderio lygio našumą, patikimumą ir kokybę.
Kviečiame susipažinti su plačiausiu 650 V – 6,5 kV SiC MOSFET tranzistorių asortimentu.