Tranzistoriai | GeneSiC

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
UDS įtampa
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
Rds(on)
more... less
Būsto tipas
more... less
In stock
more... less
Środowisko
Filter
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
Produkto pavadinimas
Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
UDS įtampa
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
Rds(on)
Būsto tipas
-- Transistoriai SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor Transistoriai SIC MOSFET PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R40MT12J Galimas kiekis 1200 V 75 A 53 A 0.04 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R40MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R40MT12K 16 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R450MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R450MT17D Galimas kiekis 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R450MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R450MT17J Galimas kiekis 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R45MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R45MT17D Galimas kiekis 1700 V 61 A 43 A 0.045 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R75MT12D Galimas kiekis 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R75MT12J 30 1200 V 42 A 50 A 0.075 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT2K MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R75MT12K 544 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R160MT17J Galimas kiekis 1700 V 21 A 15 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT2K MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R20MT12K Galimas kiekis 1200 V 128 A 90 A 0.02 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R60MT07J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R60MT07J 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R60MT07D Galimas kiekis 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R60MT07K 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R40MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R40MT12D Galimas kiekis 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R350MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R350MT12J Galimas kiekis 1200 V 11:00 AM 8:00 AM 0.35 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R160MT12J Galimas kiekis 1200 V 22 A 16 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D MOSFET SIC. PAMATYKITE G2R1000MT17D Galimas kiekis 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G2R1000MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J MOSFET SIC. PAMATYKITE G2R1000MT17J 900 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT33J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT3J MOSFET SIC. PAMATYKITE G2R1000MT33J Galimas kiekis 3300 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R160MT12D Galimas kiekis 1200 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R160MT17D Galimas kiekis 1700 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R20MT12N MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R20MT12N Galimas kiekis 1200 V 105 A 74 A 0.02 Ohm SOT-227
picture_as_pdf G3R20MT17K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K MOSFET SIC. PAMATYKITE G3R20MT17K Galimas kiekis 1700 V 100 A 70 A 0.02 Ohm TO-247-4
Rezultatai puslapyje:

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.