Mega POWER DUAL IGBT új modulok
Mega POWER DUAL IGBT új modulok

A fényképek csak tájékoztató jellegűek. Lásd a termék specifikációit

Kérjük, használjon latin karaktereket

Gyártó: Mitsubishi

Mega POWER DUAL IGBT új modulok

Dane techniczne

  • 6 Generacja IGBT z chipami wykonanymi w technologii CSTBT - Moduły 1200V: Vce(sat)=1,7V @ Tj =125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu Vcc =900V
  • Moduły 1700V: Vce(sat)=2,2V @ Tj =125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu Vcc =1200V
  • Tj(max)=175°C - Nowe aluminiowe podstawy bez połączeń lutowanych. Wysoka odporność na cykle temperaturowe,
  • Niska rezystancja termiczna Rth(j-c)
  • Zminimalizowana wewnętrzna indukcyjność LPN =5,1nH (obudowa MPD2)
  • Odpowiedni rozkład złączy dla obwodów AC oraz DC pozwalający na łatwe zaprojektowanie oszynowania.
  • Wielootworowe złącza główne ograniczające rezystancję zestyku oraz poprawiające niezawodność połączeń.
  • Zintegrowany termistor NTC jako czujnik temperatury Tc
  • Pomocnicze złącza dostępne dla grupy emiterowej oraz kolektorowej tranzystorów IGBT


Aplikacje

  • Przekształtniki najwyższych mocy


Obudowa Napięcie MPD1 MPD2
Symbol Schemat VCES [V] IC[A]
1100 1500 1500 2500
D 1200   CM1500DY-24S   CM2500DY-24S
1700 CM1100DY-34S   CM1800DY-34S  


Obudowa - MPD1 Obudowa - MPD2
NOWE MODUŁY MEGA POWER DUAL - IGBT - obudowa MPD1 NOWE MODUŁY MEGA POWER DUAL - IGBT - Obudowa MPD2
Kevésbé
Olvass tovább

Ajánlatkérés küldése

Érdekel ez a termék? További információra vagy egyedi árajánlatra van szüksége?

Lépjen kapcsolatba velünk
Kérdezzen a termékről close
Köszönjük az üzenetét Amint lehet, válaszolunk
Kérdezzen a termékről close
Böngésszen
Kérelem beküldése

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

Dane techniczne

  • 6 Generacja IGBT z chipami wykonanymi w technologii CSTBT - Moduły 1200V: Vce(sat)=1,7V @ Tj =125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu Vcc =900V
  • Moduły 1700V: Vce(sat)=2,2V @ Tj =125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu Vcc =1200V
  • Tj(max)=175°C - Nowe aluminiowe podstawy bez połączeń lutowanych. Wysoka odporność na cykle temperaturowe,
  • Niska rezystancja termiczna Rth(j-c)
  • Zminimalizowana wewnętrzna indukcyjność LPN =5,1nH (obudowa MPD2)
  • Odpowiedni rozkład złączy dla obwodów AC oraz DC pozwalający na łatwe zaprojektowanie oszynowania.
  • Wielootworowe złącza główne ograniczające rezystancję zestyku oraz poprawiające niezawodność połączeń.
  • Zintegrowany termistor NTC jako czujnik temperatury Tc
  • Pomocnicze złącza dostępne dla grupy emiterowej oraz kolektorowej tranzystorów IGBT


Aplikacje

  • Przekształtniki najwyższych mocy


Obudowa Napięcie MPD1 MPD2
Symbol Schemat VCES [V] IC[A]
1100 1500 1500 2500
D 1200   CM1500DY-24S   CM2500DY-24S
1700 CM1100DY-34S   CM1800DY-34S  


Obudowa - MPD1 Obudowa - MPD2
NOWE MODUŁY MEGA POWER DUAL - IGBT - obudowa MPD1 NOWE MODUŁY MEGA POWER DUAL - IGBT - Obudowa MPD2
Kevésbé
Olvass tovább
Hozzászólások (0)