Doporučené příspěvky

  • Co je nového ve fotovoltaické technologii: Budoucnost solární energie
    Co je nového ve fotovoltaické technologii: Budoucnost solární energie

    Solární energie, zejména ve formě fotovoltaiky, hraje stále důležitější roli v globálním energetickém mixu. Tento obnovitelný zdroj energie má obrovský potenciál a technologické inovace ve fotovoltaických panelech činí fotovoltaiku ještě atraktivnější.

    Read more
  • Fotovoltaika v zemích bohatých na slunce: Potenciál a přínosy
    Fotovoltaika v zemích bohatých na slunce: Potenciál a přínosy

    Když přemýšlíme o zemích s hojným slunečním svitem, často si představíme nejen krásné pláže a teplé podnebí, ale také obrovský potenciál pro využití solární energie. Právě v těchto regionech je sluneční záření hojné a poskytuje jedinečné příležitosti pro rozvoj fotovoltaiky.

    Read more
  • Fotovoltaika v domácnosti: Úspory, výhody a tipy
    Fotovoltaika v domácnosti: Úspory, výhody a tipy

    Výhody fotovoltaiky v domácnostech Fotovoltaika je řešení, které přináší domácnostem mnoho výhod: Úspory za elektřinu. Díky fotovoltaickým panelům mohou domácnosti výrazně snížit své účty za elektřinu nebo je dokonce úplně eliminovat. Je to efektivní zdroj bezplatné energie.

    Read more
  • Fotovoltaika a skladování energie: Technologie a praktické aplikace
    Fotovoltaika a skladování energie: Technologie a praktické aplikace

    Fotovoltaika neboli přeměna sluneční energie na elektřinu hraje v dnešním světě klíčovou roli ve výrobě elektřiny. Vzhledem k nestálosti výroby energie z obnovitelných zdrojů je však nutné hledat inovativní řešení, která umožní efektivní a účinné ukládání energie.

    Read more
  • Analýza nákladů a návratnosti investic do solárních panelů
    Analýza nákladů a návratnosti investic do solárních panelů

    Solární energie je dnes významnou součástí globálního úsilí o udržitelný rozvoj a boj s problémy klimatických změn. Solární panely, zejména fotovoltaické panely, se staly oblíbeným řešením pro výrobu čisté elektřiny.

    Read more
  • Environmentální přínosy fotovoltaiky: Ochrana životního prostředí a udržitelný rozvoj
    Environmentální přínosy fotovoltaiky: Ochrana životního prostředí a udržitelný rozvoj

    Fotovoltaika, neboli výroba elektřiny pomocí slunečního záření, je klíčovým prvkem v boji proti problémům spojeným se změnou klimatu a ochranou životního prostředí.

    Read more
  • Jak funguje solární fotovoltaika: Princip solárních panelů
    Jak funguje solární fotovoltaika: Princip solárních panelů

    Fotovoltaika je obor, který hraje klíčovou roli v poskytování udržitelné elektřiny. Jednou z klíčových součástí fotovoltaických systémů je solární panel.

    Read more
  • Řada LR: Dokonalost světla a zvuku
    Řada LR: Dokonalost světla a zvuku

    Rádi bychom představili řadu LR jako ukázkový příklad kvality v oblasti osvětlení a zvuku. Tato produktová řada jasně reaguje na potřeby uživatelů, kteří hledají vynikající osvětlení a výjimečnou kvalitu zvuku v oboru osvětlení a zvuku.

    Read more
  • Nový 800A/1200V plně SiC modul
    Nový 800A/1200V plně SiC modul

    Vývoj technologie SiC ve výkonových modulech a potenciál pro snížení ztrát s nimi spojených jsou znázorněny na obrázku 1. Společnost Mitsubishi vyvinula dva nové typy modulů vyrobených výhradně z SiC s jmenovitým proudem 800 A a 1200 A a jmenovitým napětím 1200 V [1]; [2]. Tento článek popisuje modul 800 A.

    Read more
  • Napájecí moduly pro kombinaci inovací, flexibility a výkonu v různých tříúrovňových topologiích
    Napájecí moduly pro kombinaci inovací, flexibility a výkonu v různých tříúrovňových topologiích

    Aplikace pro přeměnu energie musely vždy poskytovat vysokou účinnost a zároveň zachovat požadovanou kvalitu energie. Profil výstupních harmonických složek lze zlepšit zvýšením spínací frekvence. Zvýšení spínací frekvence však snižuje účinnost střídače. Historicky konvenční dvoustupňové střídače sloužily průmyslu se zdánlivě jednoduchou topologií, kde vývojáři vždy museli vyvažovat účinnost s optimalizací filtru. S vynálezem třístupňových topologií se nyní otevřelo mnoho nových cest pro...

    Read more
  • Vysokonapěťové IGBT moduly řady X 6500 V
    Vysokonapěťové IGBT moduly řady X 6500 V

    Dne 29. září 2015 uvedla společnost MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION na trh první produkt své nové řady vysokonapěťových IGBT tranzistorů řady X [1] – IGBT modul s blokovacím napětím 6500 V a jmenovitým proudem 1000 A. CM1000HG-130XA je nejvýše hodnoceným zařízením v oboru pro tuto napěťovou třídu (provozní teplota 150 °C). Klíčovým konstrukčním aspektem řady X je kombinace známé a osvědčené technologie pouzder řady R s nově vyvinutými integrovanými obvody IGBT 7. generace a diod. Přehled...

    Read more
  • Rozšíření sortimentu vysokonapěťových IGBT modulů řady X ve třídě 3300 V
    Rozšíření sortimentu vysokonapěťových IGBT modulů řady X ve třídě 3300 V

    Hlavní aplikace IGBT modulů 3300 V, jako je trakce, pohony středního napětí a přenos a distribuce energie, vyžadují absolutní minimalizaci poruch v provozu. Vzhledem ke všem možným nejhorším provozním podmínkám je nutné zajistit, aby zařízení bylo provozováno bezpečně v rámci svých technických specifikací. Ve skutečnosti však není vždy možné předvídat všechny nejhorší možné podmínky, které mohou nastat během skutečného provozu v provozu. To je důvod, proč se vyžaduje, aby IGBT moduly měly...

    Read more
  • LV100 – duální napájecí modul pro železniční střídače nové generace
    LV100 – duální napájecí modul pro železniční střídače nové generace

    Topologie výkonového modulu je polomůstek. Hlavním cílem vytvoření takového duálního modulu je snížení vnitřní parazitní indukčnosti modulu. Pro minimalizaci vnitřní napěťové špičky – jednoho z omezení pro udržení maximálního výstupního proudu střídače v rámci RBSOA (Reverse Safe Operation Area – oblast bezpečného provozu v obráceném směru) je nutné snížit parazitní indukčnost modulu. Každá nová generace integrovaných obvodů vykazuje větší úbytek proudu di/dt, což způsobuje vyšší přepěťové...

    Read more
  • Výkonové moduly SiC pro široký rozsah použití
    Výkonové moduly SiC pro široký rozsah použití

    Aktuálně dostupné výkonové moduly SiC od společnosti Mitsubishi Electric (viz obrázek 1) patří do první fáze komercializace technologie SiC, která začala kolem roku 2010.

    Read more
  • Budiče hradel modulů SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC zlepšují pozorovatelnost a výkon systému
    Budiče hradel modulů SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC zlepšují pozorovatelnost a výkon systému

    Nová řada budičů hradel SCALE-iFlex LT NTC od společnosti PI poskytuje data o záporném teplotním koeficientu (NTC), což umožňuje přesné tepelné řízení systémů měničů a zajišťuje správné přizpůsobení proudu. Výrazně zlepšuje celkovou spolehlivost systémů obnovitelných zdrojů energie a železničních systémů s více paralelně uspořádanými moduly.

    Read more
  • Studium parametrů výbušnosti hořlavých prachů
    Studium parametrů výbušnosti hořlavých prachů

    Tento text si klade za cíl poskytnout praktické rady těm, kteří čelí potřebě posoudit bezpečnostní požadavky v průmyslových závodech, kde se ve velkém množství zpracovávají hořlavé částice (prach). Z hlediska bezpečnosti procesů je vhodné testovat prach, aby se určilo riziko. Které prachy by měly být testovány? Jaké testy jsou potřeba? Kdy lze použít hodnoty získané z publikovaných zdrojů? To jsou některé z otázek, kterými se bude zabývat následující text. Cílem je poskytnout rady, které...

    Read more
  • Vysoce výkonné výkonové moduly IGBT řady X s vysokou hustotou výkonu 4500 V
    Vysoce výkonné výkonové moduly IGBT řady X s vysokou hustotou výkonu 4500 V

    Společnost Mitsubishi Electric původně začala s vývojem IGBT tranzistorů na 4500 V v polovině 90. let 20. století. Komercializace standardních IGBT modulů v této napěťové třídě začala na začátku 21. století. To nabízelo efektivnější a kompaktnější řešení ve srovnání se stávajícími 4500V lisovanými GTO zařízeními. Tento vývoj byl primárně poháněn aplikacemi v železnicích a pohonech středního napětí. Současně je k dispozici široká škála IGBT modulů na 4500 V, včetně diodových modulů, modulů s...

    Read more
  • 3,3 kV MOSFETy s plným SiC – Směrem k vysoce výkonným trakčním střídačům
    3,3 kV MOSFETy s plným SiC – Směrem k vysoce výkonným trakčním střídačům

    Polovodičové čipy z karbidu křemíku (SiC) jsou považovány za významnou inovaci v moderní výkonové elektronice. Ve srovnání s klasickými křemíkovými (Si) čipy umožňuje SiC výrobu efektivnějších a kompaktnějších měničů, čímž šetří elektřinu a cenné materiály.

    Read more
|< .... 910111213141516171819 .... >|
Showing 235 to 252 of 416 (24 Pages)