Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J
Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J

Fotografie slouží pouze pro informační účely. Zobrazit specifikaci produktu

please use latin characters

Výrobce: GeneSiC Semiconductor

Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J

  • G3F25MT06J
  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 108 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 77 A
  • Napětí UDS 650 V
  • RDS(ON) při VGS = 18 V 20,5 mΩ
  • RDS(ON) při VGS = 15 V 29 mΩ

Zašlete dotaz

Máte zájem o tento produkt? Potřebujete další informace nebo individuální ceny?

Kontaktujte nás
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Děkujeme za zaslání zprávy. Odpovíme co nejdříve.
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Procházet
pošlete dotaz

Přidat do seznamu přání

musíš být přihlášen

  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 108 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 77 A
  • Napětí UDS 650 V
  • RDS(ON) při VGS = 18 V 20,5 mΩ
  • RDS(ON) při VGS = 15 V 29 mΩ

Související články

Schottkyho MPS™ diody SiC Schottkyho MPS™ diody SiC
Publikováno v: Zprávy, R&D
18-10-2024
Schottkyho diody Merged-PiN (MPS) jsou novým designem GeneSiC, který kombinuje nejlepší vlastnosti struktur PiN a...
Read more
Komentáře (0)