G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC
G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC

Fotografie slouží pouze pro informační účely. Zobrazit specifikaci produktu

please use latin characters

Výrobce: GeneSiC Semiconductor

G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC

  • G3F05MT12GB2
  • Typ bydlení
  • Konfigurace półmostek
  • RDS(ON) při VGS = 18 V 4,6
  • Trvalý proud ID při Tc=65°C 216
  • Napětí UDS 1200

Zašlete dotaz

Máte zájem o tento produkt? Potřebujete další informace nebo individuální ceny?

Kontaktujte nás
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Děkujeme za zaslání zprávy. Odpovíme co nejdříve.
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Procházet
pošlete dotaz

Přidat do seznamu přání

musíš být přihlášen

  • Typ bydlení
  • Konfigurace półmostek
  • RDS(ON) při VGS = 18 V 4,6
  • Trvalý proud ID při Tc=65°C 216
  • Napětí UDS 1200

Související články

Schottkyho MPS™ diody SiC Schottkyho MPS™ diody SiC
Publikováno v: Zprávy, R&D
18-10-2024
Schottkyho diody Merged-PiN (MPS) jsou novým designem GeneSiC, který kombinuje nejlepší vlastnosti struktur PiN a...
Read more
Navitas uvádí nejnovější výkonové moduly SiCPAK™ – nový standard spolehlivosti a výkonu při vysokých teplotách Navitas uvádí nejnovější výkonové moduly SiCPAK™ – nový standard spolehlivosti a výkonu při vysokých teplotách
Publikováno v: R&D
25-04-2025
Navitas Semiconductor, lídr v oblasti GaN a SiC technologií, představil nové výkonové moduly SiCPAK™ 1200V s...
Read more
Komentáře (0)