G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC
G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC

  • G3F05MT12GB2
  • Typ obudowy SiCPAK G Series
  • Konfiguracja półmostek
  • RDS(ON) przy VGS = 18 V 4,6
  • Prąd ciągły ID przy Tc=65oC 216
  • Napięcie UDS 1200
Moduł mocy SiC, zastosowana nowoczesna technologia zalewania żywicą epoksydową, która znacząco podnosi niezawodność i stabilność pracy w trudnych warunkach termicznych

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • Typ obudowy SiCPAK G Series
  • Konfiguracja półmostek
  • RDS(ON) przy VGS = 18 V 4,6
  • Prąd ciągły ID przy Tc=65oC 216
  • Napięcie UDS 1200
Moduł mocy SiC, zastosowana nowoczesna technologia zalewania żywicą epoksydową, która znacząco podnosi niezawodność i stabilność pracy w trudnych warunkach termicznych
Komentarze (0)