Az eszköz zavarvédelmének elemzése integrált áramkör szinten elsősorban azért előnyös, mert az ilyen tesztelés során nem szükséges figyelembe venni az áramkör kialakításának hatását az elektromágneses kompatibilitásra (EMC). Az említett elemzés például nem foglalja magában a nyomtatott áramköri lap tervezését, a csatlakozók jellegét és elérhetőségét, illetve a burkolatot. A cikk bemutatja az eszközszintű és az integrált áramkör szintű (IC) tesztelések közötti összefüggést.

EMI (Electromagnetic Interference) refers to unwanted signals that can disrupt the operation of electronic devices. As electronics become smaller and more complex, they also become more susceptible to such interference. EMI can lead to errors, instability, or even system failures. That’s why proper circuit design — including electromagnetic shielding at the PCB level — is so important. This article explains how EMI shielding works, what materials to use, and how to avoid common design pitfalls.

A Navitas Semiconductor, a GaN és SiC technológia vezetője bemutatta új, 1200V-os SiCPAK™ teljesítménymoduljait epoxi szigeteléssel, amelyek ötször jobb hőállóságot biztosítanak a hagyományos megoldásokhoz képest. A saját fejlesztésű GeneSiC™ SiC MOSFET technológiának köszönhetően az új modulok alacsonyabb energiaveszteséget, nagyobb megbízhatóságot és extrém körülmények közötti működőképességet biztosítanak. Alkalmasak például EV töltőkhöz, ipari hajtásokhoz, szünetmentes tápegységekhez (UPS) és napelemes rendszerekhez. A következő generációs félvezetők úttörőjeként a Navitas a világ első 20 éves garanciáját kínálja GaNFast™ eszközeire.