Tranzystory firmy GeneSiC

A GeneSiC SiC MOSFET tranzisztorai kiváló vezetési és kapcsolási teljesítményt nyújtanak a szilíciumhoz (Si) képest a „széles tiltott sáv” tulajdonságaiknak és a nagy elektromos tér erősségének köszönhetően.

A GeneSiC szabadalmaztatott...

A GeneSiC SiC MOSFET tranzisztorai kiváló vezetési és kapcsolási teljesítményt nyújtanak a szilíciumhoz...

Olvass tovább

Kategóriák

Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Tokozás típusa
more... less
Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén
more... less
Konfiguracja
more... less
Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén
more... less
RDS(ON) VGS = 18 V esetén
more... less
RDS(ON) VGS = 15 V esetén
more... less
UDS feszültség
more... less
more... less
more... less
more... less
more... less
Filter
Terméklista letöltése
Információ close
PDF Kép
Gyártó
descasc
Termék név
descasc
 Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
descasc
Tokozás típusa
descasc
Folyamatos áram ID Tc=25oC esetén
descasc
Konfiguracja
descasc
Folyamatos áram ID Tc=100oC esetén
descasc
RDS(ON) VGS = 18 V esetén
descasc
RDS(ON) VGS = 15 V esetén
descasc
UDS feszültség
descasc
descasc
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC ZOBACZ G3F09MT12GB4 -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K ZOBACZ G3F75MT12K TO-247-4 -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ZOBACZ G3F75MT12J TO-263-7 31 A -- 22 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ZOBACZ G3F40MT12K TO-247-4 -- 39 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBACZ G3F40MT12J TO-263-7 -- 42 A -- -- 1200 V -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBACZ G3F20MT12J TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ZOBACZ G3F60MT06J TO-263-7 44 A -- 31 A -- -- 650 V -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ZOBACZ G3F60MT06D TO-247-3 -- -- -- -- -- 650 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K ZOBACZ G3F45MT06K TO-247-4 52 A -- 37 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ZOBACZ G3F45MT06J TO-263-7 -- 39 A -- -- 650 V -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ZOBACZ G3F45MT06D TO-247-3 -- -- -- -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ZOBACZ G3F33MT06K TO-247-4 -- 53 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ZOBACZ G3F33MT06J TO-263-7 -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F25MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT06L tranzisztor ZOBACZ G3F25MT06L 125 A -- 88 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F33MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F33MT06L tranzisztor ZOBACZ G3F33MT06L 90 A -- 64 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F45MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F45MT06L tranzisztor ZOBACZ G3F45MT06L 61 A -- 43 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC ZOBACZ G3F05MT12GB2 -- półmostek -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC ZOBACZ G3F18MT12FB4 -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC ZOBACZ G3F17MT12FB2 -- półmostek -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC ZOBACZ G3F09MT12FB2 -- półmostek -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F135MT12J tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F135MT12J tranzisztor ZOBACZ G3F135MT12J TO-263-7 18 A -- 13 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12K tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12K tranzisztor ZOBACZ G3F65MT12K TO-247-4 35 A -- 25 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12J tranzisztor GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12J tranzisztor ZOBACZ G3F65MT12J TO-263-7 37 A -- 26 A -- -- 1200 V -- -- --
Eredmények oldalanként:
Vissza az oldal tetejére

A GeneSiC SiC MOSFET tranzisztorai kiváló vezetési és kapcsolási teljesítményt nyújtanak a szilíciumhoz (Si) képest a „széles tiltott sáv” tulajdonságaiknak és a nagy elektromos tér erősségének köszönhetően.

A GeneSiC szabadalmaztatott Trench-Assisted Planar technológiája a legalacsonyabb RDS(ON) értéket biztosítja magas hőmérsékleten és a legkisebb energia veszteséget nagy sebességnél. Ez példátlan, iparágvezető szintű teljesítményt, robusztusságot és minőséget tesz lehetővé.

Fedezze fel a 650 V – 6,5 kV közötti SiC MOSFET tranzisztorok legszélesebb választékát.

Related posts

A Navitas bemutatja legújabb SiCPAK™ teljesítménymoduljait – az új megbízhatósági és teljesítmény-szabvány magas hőmérsékleten
A Navitas bemutatja legújabb SiCPAK™ teljesítménymoduljait – az új megbízhatósági és teljesítmény-szabvány magas hőmérsékleten
Posted in: R&D
25-04-2025
A Navitas Semiconductor, a GaN és SiC technológia vezetője bemutatta új, 1200V-os SiCPAK™ teljesítménymoduljait epoxi...
Read more