Mitsubishi Electric představuje nové IGBT moduly řady T 2,0 kV pro průmyslové použití

Společnost Mitsubishi Electric Corporation oznamuje uvedení modulů IGBT (bipolárních tranzistorů s izolovanou hradlou) řady T 2,0 kV pro průmyslové aplikace. Moduly zvýší účinnost a hustotu výkonu napájecích zdrojů z obnovitelných zdrojů energie DC 1500 V.

Moduly IGBT řady T 2,0 kV jsou prvními IGBT na světě[1] s maximálním napětím 2,0 kV. Modul je speciálně navržen pro zvýšení účinnosti a zmenšení velikosti vysoce výkonných měničů z obnovitelných zdrojů energie, po kterých poptávka neustále roste v důsledku rostoucího využívání obnovitelných zdrojů energie.

Výhody modulu IGBT řady T 2,0 kV:

První modul IGBT na světě 2,0 kV je ideální pro kompaktnější aplikace s výkonovými měniči DC 1500 V.

• První modul IGBT na světě 2,0 kV je ideální pro vysoce výkonné měniče DC 1500 V, které je mnohem obtížnější navrhnout s použitím konvenčních IGBT 1,7 kV.
• Umožňuje vývoj jednodušších a menších měničů DC 1500 V bez nutnosti složitých topologií, jako je například tříúrovňový měnič NPC (I-connection). href="#_ftn2" name="_ftnref2" title="">[2].

7. generace IGBT a RFC diod pomáhají snižovat ztráty výkonu ve vysoce výkonných měničích

• Pro vysoké napětí a aplikace vyžadující nižší ztráty výkonu jsou vhodné IGBT sedmé generace se strukturou CSTBT^{TM [3]} a vysokonapěťovými RFC diodami[4] (Relax Field of Cathode).

Polovodiče Vysoce výkonné měniče zaměřené na efektivní řízení elektrického výkonu přitahují rostoucí zájem a nacházejí řadu uplatnění jako klíčová zařízení pro snižování globálních emisí uhlíku stopa. Současně musí sítě obnovitelných zdrojů energie dosahovat stále vyšší účinnosti přeměny energie pomocí stále vyšších úrovní napětí. Za tímto účelem byly zavedeny měniče s napětím DC 1500 V, což je horní limit stanovený ve směrnici o nízkých napětích (LVD)[5]. V reakci na tuto směrnici společnost Mitsubishi Electric brzy uvede na trh IGBT řady T s napětím 2,0 kV, speciálně navržené pro vysoce výkonné DC měniče 1500 V, čímž zjednoduší konstrukci, zmenší velikost a zvýší účinnost.

Specifikace produktu

Aktuálně dostupné tranzistory IGBT 7. generace naleznete na webových stránkách v sekci Polovodiče >> IGBT moduly 7. generace