Mitsubishi Electric annonce de nouveaux modules IGBT 2,0 kV de la série T pour une utilisation industrielle

Mitsubishi Electric Corporation annonce le lancement des modules IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) de la série T de 2,0 kV pour applications industrielles. Ces modules permettront d'accroître l'efficacité et la densité de puissance des alimentations à énergie renouvelable de 1 500 V CC.Les modules IGBT de la série T de 2,0 kV sont les premiers IGBT au monde à supporter une tension maximale de 2,0 kV. Ce module est spécialement conçu pour accroître l'efficacité et réduire la taille des convertisseurs d'énergie renouvelable de forte puissance, dont la demande ne cesse de croître en raison de l'utilisation croissante des sources d'énergie renouvelables.

Avantages du module IGBT 2,0 kV série T :

Premier module IGBT 2,0 kV au monde, il est idéal pour les applications de convertisseurs de puissance CC 1 500 V plus compactes.

Premier module IGBT 2,0 kV au monde, il est idéal pour les convertisseurs CC 1 500 V de forte puissance, dont la conception est beaucoup plus complexe avec des IGBT 1,7 kV classiques.
Il permet de développer des convertisseurs CC 1 500 V plus simples et plus petits, sans avoir recours à des topologies complexes telles que le convertisseur NPC à trois niveaux (connexion en I).

Les IGBT de 7e génération et les diodes RFC contribuent à réduire les pertes de puissance dans les convertisseurs haute puissance

Les IGBT de 7e génération dotés de la structure CSTBT^TM [3] et les diodes RFC[4] (Relax Field of Cathode) haute tension sont adaptés aux applications haute tension et aux applications exigeant de faibles pertes de puissance.

SemiconductorsLes convertisseurs haute puissance, axés sur un contrôle efficace de la puissance électrique, suscitent un intérêt croissant et trouvent de nombreuses applications en tant que composants clés. pour réduire l'empreinte carbone mondiale. Parallèlement, les réseaux d'énergie renouvelable doivent atteindre des rendements de conversion d'énergie toujours plus élevés en utilisant des niveaux de tension toujours plus élevés. À cette fin, des convertisseurs de puissance fonctionnant à une tension de 1 500 V CC ont été introduits, ce qui correspond à la limite supérieure spécifiée dans la directive basse tension (LVD)[5]. En réponse à la directive, Mitsubishi Electric lancera prochainement des IGBT série T de 2,0 kV spécialement conçus pour les convertisseurs haute puissance CC 1 500 V, simplifiant la conception, réduisant la taille et améliorant l'efficacité.

Spécifications du produit

Produit

Modèle

Maximum Tension

Courant maximal

Tension d'isolement

Topologie

Dimensions

H x P [mm]

Module IGBT

Série T

CM400DY-40T

2,0 kV

400 A

4 kV rms

2 en 1

80 x 110

Les transistors IGBT de 7e génération actuellement disponibles sont consultables sur le site web dans la section Semiconductors > Modules IGBT de 7e génération

[1] Selon une étude menée par Mitsubishi Electric, en date du 9 juin 2021.

[2] La topologie du circuit se compose de 4 transistors IGBT connectés en série et de deux diodes de verrouillage connectées au fil de neutre.

[3] Transistor IGBT propriétaire de Mitsubishi Electric.

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[4] Diodes Mitsubishi Electric d'origine optimisant le mouvement des électrons côté cathode.

[5] Normes de sécurité universelles autorisant l'utilisation d'équipements électriques homologués par tout État membre de l'UE dans toute l'Union européenne.