Moduły tranzystorowe firmy Dynex

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory...

Olvass tovább

Kategóriák

Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Napięcie VCES
more... less
Prąd kolektora IC
more... less
In stock
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Napięcie VCES
Prąd kolektora IC
-- Moduły tranzystorowe DYNEX POWER Moduły tranzystorowe ZOBACZ -- -- --
-- DIM1200FSM12-A Single IGBT DYNEX POWER DIM1200FSM12-A Single IGBT ZOBACZ DIM1200FSM12-A 400 V 1200 A
-- DIM1600FSM12-A Single IGBT DYNEX POWER DIM1600FSM12-A Single IGBT ZOBACZ DIM1600FSM12-A 500 V 1600 A
-- DIM1800ESM12-A Single IGBT DYNEX POWER DIM1800ESM12-A Single IGBT ZOBACZ DIM1800ESM12-A 570 V 1800 A
-- DIM800DDM12-A Dual IGBT DYNEX POWER DIM800DDM12-A Dual IGBT ZOBACZ DIM800DDM12-A 280 V 800 A
-- DIM800FSM12-A Single IGBT DYNEX POWER DIM800FSM12-A Single IGBT ZOBACZ DIM800FSM12-A 280 V 800 A
-- DIM2400ESM12-A Single IGBT DYNEX POWER DIM2400ESM12-A Single IGBT ZOBACZ DIM2400ESM12-A 800 V 2400 A
Eredmények oldalanként:

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.