Musisz być zalogowany/a
Tranzystory
Kategóriák
- Tranzystory firmy GeneSiC
- Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi
- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
- Moduły SiC MOSFET firmy ABB
- Moduły IGBT firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy MITSUBISHI
- Moduły MOSFET firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy ABB
- Moduły IGBT firmy POWEREX
- Moduły IGBT - firmy INFINEON (EUPEC)
- Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
- Moduły tranzystorowe firmy Dynex
- Tranzystory MOSFET - firmy VISHAY (IR)
- Moduły SIC MOSFET - POWEREX
- Moduły IGBT - firmy Semikron
- Sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT firmy Semikron
- Moduły MOSFET firmy Microsemi
- Tranzystory IGBT firmy VISHAY (IR)
- Moduły IGBT firmy Starpower
- Tranzystory GaN firmy EPC
Kép | Termék megtekintése | Gyártói szám | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKM600GAL07E3 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKM600GAL07E3 | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKM100GAR12F4 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKM100GAR12F4 | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1200 V | 100 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK50GD12T4ETE2 Moduł IGBT | ZOBACZ | SK50GD12T4ETE2 | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F34MT12J tranzisztor | ZOBACZ | G3F34MT12J | TO-263-7 | -- | -- | -- | 68 A | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | ||
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J | ZOBACZ | G3F60MT06J | TO-263-7 | -- | -- | -- | 44 A | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | |||
picture_as_pdf |
![]() |
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC2088 Tranzystor | ZOBACZ | EPC2088 | -- | -- | -- | -- | -- | Single | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3-Feb | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 12-May | 4-Apr | 1-Apr | 47 | 60 | 231 | LGA 3.5 x 1.95 | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
POWEREX | Podwójny moduł HVIGBT QID3320004 | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | DIP-IPM 1200V | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | Wielopoziomowe moduły IGBT | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | PMF75CGAL120 MOSFET SiC | ZOBACZ | PMF75CGAL120 | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 75 V | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | CMH300DX-24NFH MOSFET SiC | ZOBACZ | CMH300DX-24NFH | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK15DGDL07E3ETE1 Moduł IGBT | ZOBACZ | SK15DGDL07E3ETE1 | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 15 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKM500GB17E4 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKM500GB17E4 | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 500 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | SiC Mosfet G3F25MT12J tranzisztor | ZOBACZ | G3F25MT12J | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | ||||
-- |
![]() |
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D | ZOBACZ | G3F60MT06D | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKiiP 39AC12T4V10 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKiiP39AC12T4V10 | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 150 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SKM75GB17E4H16 Moduł IGBT | ZOBACZ | SKM75GB17E4H16 | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 75 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | AS-IPM | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | 5. generációs IGBT modulok - A sorozat | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Infineon | Standardowe moduły IGBT | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
Mitsubishi | CMH300DU-24NFH MOSFET SiC | ZOBACZ | CMH300DU-24NFH | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 300 V | -- | -- | |
-- |
![]() |
Starpower | Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER | ZOBACZ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK50DGDL12T7ETE2s Moduł IGBT | ZOBACZ | SK50DGDL12T7ETE2s | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
picture_as_pdf |
![]() |
SEMIKRON | SK10DGDL07E3ETE1 Moduł IGBT | ZOBACZ | SK10DGDL07E3ETE1 | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzystory od sprawdzonego dostawcy
Dacpol jest doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystorów. Nasi klienci mogą polegać na jakości dostarczanych przez nas produktów i usług, niezależnie od tego czy kupują moduły MOSFET, diody prądu stałego czy elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.
Jesteśmy gotowi dostarczyć hurtową ilość szukanego przez Państwa produktu bez względu na to, czy zamawiają Państwo pojedyncze tranzystory, czy kupują je w ilościach hurtowych, oferujemy kompleksową dostawę wszystkich produktów.
Ze względu na najwyższą jakość obsługi oferujemy swoim klientom wyłącznie produkty od sprawdzonych dostawców i producentów. Nasza kadra inżynierów, na każdym etapie służy swoją wiedzą i doradztwem tak, aby móc zapewnić klientom informacje na temat konserwacji i użytkowania zakupionych produktów
Oferta Dacpol w zakresie produktów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza jest znacznie większa i obejmuje różnego rodzaju artykuły elektryczne i przemysłowe z kategorii tranzystory. Na naszej stronie internetowej mogą zapoznać się Państwo z pełną ofertą towarów z grupy podzespoły elektroniczne, zasilanie i złącza.
Tranzystory polowe od DACPOL
Oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOS-FET oraz IGBT.
Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.
Dostępne są w przedziale prądowym od 1,1A do 250A i napięciami od 12V do 900V. Tranzystory MOS-FET wytwarzane są w następujących typach obudów: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.
Wysoka jakość oferowanych produktów
Dostępne są w obudowach elektroizolowanych jako pojedyncze tranzystory, moduły dwutranzystorowe (półmostki), moduły sześcioelementowe (pełny mostek), moduły siedmioelementowe (pełny mostek z tranzystorem). Typowe obudowy to: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.
Sprawdź również nasze produkty z kategorii mostki prostownicze!