Tranzystory firmy GeneSiC

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują...
Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe...
Olvass tovább

Kategóriák

Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Napięcie UDS
more... less
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
more... less
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
more... less
Rds(on)
more... less
Typ obudowy
more... less
In stock
more... less
Filter
Terméklista letöltése
Információ close
PDF Kép
Gyártó
descasc
Termék név
descasc
 Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
descasc
Napięcie UDS
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
descasc
Rds(on)
descasc
Typ obudowy
descasc
-- Tranzystory SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor Tranzystory SiC MOSFET ZOBACZ -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R40MT12J 1200 V 75 A 53 A 0.04 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R40MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R40MT12K 16 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R450MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G3R450MT17D 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R450MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J MOSFET SiC ZOBACZ G3R450MT17J 1700 V 9:00 AM 6:00 AM 0.45 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R45MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G3R45MT17D 1700 V 61 A 43 A 0.045 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D MOSFET SiC ZOBACZ G3R75MT12D 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R75MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R75MT12J 30 1200 V 42 A 50 A 0.075 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R75MT12K 544 1200 V 41 A 29 A 0.075 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT17J 1700 V 21 A 15 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K MOSFET SiC ZOBACZ G3R20MT12K 1200 V 128 A 90 A 0.02 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R60MT07J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J MOSFET SiC ZOBACZ G3R60MT07J 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SiC ZOBACZ G3R60MT07D 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SiC ZOBACZ G3R60MT07K 1 750 V -- -- 0.06 Ohm TO-247-4
picture_as_pdf G3R40MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D MOSFET SiC ZOBACZ G3R40MT12D 1200 V 71 A 50 A 0.04 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R350MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R350MT12J 1200 V 11:00 AM 8:00 AM 0.35 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT12J 1200 V 22 A 16 A 0.16 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G2R1000MT17D 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G2R1000MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J MOSFET SiC ZOBACZ G2R1000MT17J 900 1700 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G2R1000MT33J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J MOSFET SiC ZOBACZ G2R1000MT33J 3300 V 5:00 AM 4:00 AM 1 Ohm TO-263-7
picture_as_pdf G3R160MT12D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT12D 1200 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SiC ZOBACZ G3R160MT17D 1700 V 22 A 15 A 0.16 Ohm TO-247-3
picture_as_pdf G3R20MT12N MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N MOSFET SiC ZOBACZ G3R20MT12N 1200 V 105 A 74 A 0.02 Ohm SOT-227
picture_as_pdf G3R20MT17K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K MOSFET SiC ZOBACZ G3R20MT17K 1700 V 100 A 70 A 0.02 Ohm TO-247-4
Eredmények oldalanként:
Vissza az oldal tetejére
Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.