Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Oferujemy m.in. tranzystory polowe, MOS-FET, IGBT, oraz elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Oferujemy m.in....

Olvass tovább
Információ close

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Oferujemy m.in. tranzystory polowe, MOS-FET, IGBT, oraz elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.