Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Napięcie UDS
more... less
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
more... less
Konfiguracja
more... less
Rds(on)
more... less
Prąd Id
more... less
Typ obudowy
more... less
In stock
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Napięcie UDS
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
Konfiguracja
Rds(on)
Prąd Id
Typ obudowy
-- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER Starpower Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER ZOBACZ -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf MD25CLR120D6S MOSFET SiC Starpower MD25CLR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD25CLR120D6S 1200V -- chopper 100 mΩ 25 A D6.0
picture_as_pdf MD25CUR120D6S MOSFET SiC Starpower MD25CUR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD25CUR120D6S 1200V -- chopper 100 mΩ 25 A D6.0
picture_as_pdf MD50CUR120D6S MOSFET SiC Starpower MD50CUR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD50CUR120D6S 1200V -- chopper 50 mΩ 50 A D6.0
picture_as_pdf MD50FFR120C5S MOSFET SiC Starpower MD50FFR120C5S MOSFET SiC ZOBACZ MD50FFR120C5S 1200V 73 A mostek trójfazowy 37.5 mΩ 50 A C5.0
picture_as_pdf MD350HFR120B3S MOSFET SiC Starpower MD350HFR120B3S MOSFET SiC ZOBACZ MD350HFR120B3S 1200V 473 A półmostek 5.2 mΩ 350 A B3.0
picture_as_pdf MD300HFR120B3S MOSFET SiC Starpower MD300HFR120B3S MOSFET SiC ZOBACZ MD300HFR120B3S 1200V 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A B3.0
picture_as_pdf MD300HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD300HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD300HFR120C2S 1200V 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A C2.0
picture_as_pdf MD400HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD400HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD400HFR120C2S 1 1200V 542 A półmostek 4.4 mΩ 400 A C2.0
picture_as_pdf MD200HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD200HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD200HFR120C2S 1200V 299 A półmostek 8.7 mΩ 200 A C2.0
picture_as_pdf MD120HFR120C2S MOSFET SiC Starpower MD120HFR120C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD120HFR120C2S 1200V 200 A półmostek 13 mΩ 120 A C2.0
picture_as_pdf MD250HFR170C2S MOSFET SiC Starpower MD250HFR170C2S MOSFET SiC ZOBACZ MD250HFR170C2S 1700V 340 A półmostek 10,4 mΩ 250 A C2.0
picture_as_pdf MD50CLR120D6S MOSFET SiC Starpower MD50CLR120D6S MOSFET SiC ZOBACZ MD50CLR120D6S 1200V -- chopper 50 mΩ 50 A D6.0
Eredmények oldalanként:

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET
Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT
Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.