Elemente semiconductoare - Carbură de siliciu (SiC)

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect...
Citeste mai mult

Categorii

Descărcați lista de produse
informație close
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
PDF Imagina
Producător
descasc
Numele produsului
descasc
 Vizualizați produsul Producător nr.
Cantitate valabila
descasc
picture_as_pdf Elemente semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) Mitsubishi Elemente semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) VEZI-L -- La comandă
picture_as_pdf Module din carbură de siliciu - Powerex și Mitsubishi Mitsubishi Module din carbură de siliciu - Powerex și Mitsubishi VEZI-L -- La comandă
Rezultate pe pagina:
Înapoi sus

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

We’re offering field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors, as well as silicon carbide (SiC) semiconductor elements.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.