trebuie să fii logat
-
întoarce-teX
-
Componente
-
-
Category
-
Semiconductoare
- Diode
- tiristoare
- Module izolate electric
- Redresoare în punte
-
Tranzistoare
- tranzistoare GeneSiC
- Module MOSFET Mitsubishi SiC
- Module MOSFET STARPOWER SiC
- Module MOSFET ABB SiC
- Module IGBT de la MITSUBISHI
- Module de tranzistori MITSUBISHI
- module MITSUBISHI MOSFET
- Module de tranzistori ABB
- Module IGBT de la POWEREX
- Module IGBT - de la INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare din carbură de siliciu
- Accesați subcategoria
- Șoferii
- Blocuri de putere
- Accesați subcategoria
- Traductoare de curent și tensiune LEM
-
Componente pasive (condensatori, rezistențe, siguranțe, filtre)
- Rezistoare
-
Siguranțe
- Siguranțe miniaturale pentru sisteme electronice din seria ABC și AGC
- Siguranțe tubulare cu acțiune rapidă
- Inserții întârziate cu caracteristici GL/GG și AM
- Legături sigure ultra-rapide
- Siguranțe standard britanice și americane cu acțiune rapidă
- Siguranțe cu acțiune rapidă standard european
- Siguranțe de tracțiune
- Siguranțe de înaltă tensiune
- Accesați subcategoria
-
Condensatoare
- Condensatoare pentru motoare
- Condensatoare electrolitice
- Condensatori Icel Film
- Condensatoare de putere
- Condensatoare pentru circuite DC
- Condensatoare de compensare a puterii
- Condensatoare de înaltă tensiune
- Condensatoare pentru încălzire prin inducție
- Condensatoare de impulsuri
- Condensatoare DC LINK
- Condensatoare pentru circuite AC/DC
- Accesați subcategoria
- Filtre anti-interferențe
- Supercondensatoare
-
Protecție la supratensiune
- Descărcătoare de supratensiune pentru aplicații RF
- Descărcătoare de supratensiune pentru sisteme de vedere
- Descărcătoare de supratensiune pentru linia de alimentare
- Descărcătoare de supratensiune cu LED
- Descărcătoare de supratensiune pentru fotovoltaice
- Descărcătoare de supratensiune pentru sisteme de cântărire
- Descărcătoare de supratensiune pentru fieldbus
- Accesați subcategoria
- Filtre de emisii revelatoare TEMPEST
- Accesați subcategoria
-
Relee și Contactoare
- Teoria releelor și contactoarelor
- Relee cu stare solidă trifazată CA
- Relee cu stare solidă DC
- Regulatoare, sisteme de control și accesorii
- Porniri ușoare și contactoare inversoare
- Relee electromecanice
- Contactoare
- Comutatoare rotative
-
Relee cu stare solidă CA monofazate
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria 1 | D2425 | D2450
- Relee semifazate CA monofazate, seria CWA și CWD
- Relee semifazate CA monofazate seriile CMRA și CMRD
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria PS
- Relee cu stare solidă AC seria duble și cvadruple D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relee monofazate din seria GN
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria CKR
- Relee monofazate pentru șină DIN AC SERIA ERDA și ERAA
- Relee AC monofazate pentru curent de 150A
- Relee duble cu stare solidă integrate cu radiator pe șină DIN
- Accesați subcategoria
- Relee cu stare solidă imprimabile monofazate CA
- Relee de interfață
- Accesați subcategoria
- Miezuri și alte componente inductive
- Radiatoare, Varistoare, Protectie termica
- Fani
- Aer conditionat, Accesorii tablou, Racitoare
-
Baterii, încărcătoare, surse de alimentare tampon și convertoare
- Baterii, încărcătoare - descriere teoretică
- Baterii litiu-ion. Baterii personalizate. Sistem de management al bateriei (BMS)
- baterii
- Incarcatoare de baterii si accesorii
- UPS și surse de alimentare tampon
- Convertoare si accesorii pentru fotovoltaice
- Stocarea energiei
- Pile de combustibil cu hidrogen
- Celule litiu-ion
- Accesați subcategoria
- Automatizare
-
Cabluri, fire Litz, Conduite, Conexiuni flexibile
- Firele
- Presetupe și manșoane
- Chipurile
-
Cabluri pentru aplicatii speciale
- Cabluri de prelungire și compensare
- Cabluri de termocuplu
- Cabluri de conectare pentru senzori PT
- Cabluri cu mai multe fire de temperatură. -60°C până la +1400°C
- Cabluri de medie tensiune SILICOUL
- Cabluri de aprindere
- Cabluri de incalzire
- Cabluri cu un singur conductor temp. -60°C până la +450°C
- Fire de cale ferată
- Cabluri de încălzire în ex
- Cabluri pentru industria de apărare
- Accesați subcategoria
- tricouri
-
Impletituri
- Impletituri plate
- Impletituri rotunde
- Impletituri foarte flexibile - plate
- Impletituri foarte flexibile - rotunde
- Impletituri cilindrice de cupru
- Impletituri si capace cilindrice din cupru
- Curele flexibile de împământare
- Impletituri cilindrice din otel zincat si inoxidabil
- Impletituri de cupru izolate PVC - temperatura de pana la 85 de grade C
- Impletituri plate din aluminiu
- Kit de conectare - impletituri si tuburi
- Accesați subcategoria
- Echipament de tracțiune
- Capse de cablu
- Sine flexibile izolate
- Sine flexibile multistrat
- Sisteme de management al cablurilor
- Accesați subcategoria
- Vezi toate categoriile
-
Semiconductoare
-
-
- Furnizori
-
Aplicații
- Automatizare HVAC
- Automatizare industrială
- Băncile de energie
- Cercetare si masuratori de laborator
- Componente pentru zonele cu pericol de explozie (EX)
- Echipament industrial de protectie
- Echipamente pentru dulapuri de distributie si control
- Exploatare minieră, metalurgie și turnătorie
- Imprimare
- Încălzire prin inducție
- Inginerie energetică
- Mașini CNC
- Masini de sudura si sudori
- Mașini de uscare și prelucrare a lemnului
- Masini pentru termoformarea materialelor plastice
- Măsurarea și reglarea temperaturii
- Motoare si transformatoare
- Surse de alimentare (UPS) și sisteme redresoare
- Tracțiune cu tramvai și feroviar
- Unități DC și AC (invertoare)
-
Instalare
-
-
Inductori
-
-
Dispozitive de inducție
-
-
Serviciu
-
- Kontakt
- Zobacz wszystkie kategorie
MOSFET SiC Gen-3 'Fast' transistors from Navitas Semiconductor: A New Standard of Performance for the AI and EV Industry

Introduction
The development of SiC (silicon carbide) and GaN (gallium nitride) technologies is bringing revolutionary changes to the electronics industry, particularly in the fields of artificial intelligence (AI) and electromobility (EV). Navitas Semiconductor, a leader in the production of next-generation semiconductors, is introducing the MOSFET SiC Gen-3 'Fast' (G3F) transistors, which are expected to set a new standard of performance for these sectors.
The Need for Efficiency in AI and EV
The growing interest in artificial intelligence and electromobility presents new challenges related to energy efficiency and power density. Navitas Semiconductor’s MOSFET SiC Gen-3 'Fast' transistors are the answer to these needs, offering exceptional performance and reliability.
Technology of MOSFET SiC Gen-3 'Fast' Transistors
The G3F transistors use advanced 'Trench-Assist Planar' technology, which offers numerous benefits:
- Low RDS(ON) versus temperature: This technology allows for a minimal increase in RDS(ON) as the temperature rises, resulting in lower power losses. At high temperatures, it offers up to 20% lower RDS(ON) compared to competitors.
- 100% avalanche tested (UIL): The transistors are characterized by the highest capability to handle excess energy in failure conditions, ensuring reliability.
- Longer short-circuit withstand time: They offer 30% longer short-circuit withstand time, enhancing their durability in high-power applications.
- Narrow threshold voltage distribution: This allows for easy parallel connection, making it ideal for high-power applications.
Applications of G3F Transistors
The collaboration of G3F transistors with AI Data Centers enables increased power supply unit capacities and improved power density. In the electromobility sector, G3F transistors support fast EV chargers and roadside charging infrastructure, improving efficiency and accelerating the charging process.
Advantages of G3F Transistors
MOSFET SiC Gen-3 'Fast' transistors offer exceptional performance and efficiency, making them an ideal solution for high-power systems. They are also characterized by a longer lifespan and resistance to extreme operating conditions.
The Future of SiC Technology in AI and EV
The prospects for the development of SiC technology in the context of future AI and EV needs are promising. Navitas Semiconductor’s MOSFET SiC Gen-3 'Fast' transistors can play a key role in the further development of these sectors by providing reliability and energy efficiency.
Summary
The MOSFET SiC Gen-3 'Fast' transistors from Navitas Semiconductor represent a breakthrough in semiconductor technology, offering significant benefits for AI and EV applications. With advanced technology and excellent performance, they are an ideal choice for future energy solutions.
Related product
Related posts


Leave a comment