Module IGBT | INFINEON (EUPEC)

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Citeste mai mult
Afișați filtrele
Ascundeți filtreleFiltrareAfișați filtrele X
Manufacturers
more... less
Corp
more... less
Configuraţie
more... less
Voltaj VCES
more... less
Colector curent IC
more... less
In stock
more... less
Dostępne nośniki
Środowisko
Filter
informație close
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
PDF Imagina
Producător
Numele produsului
Vizualizați produsul Producător nr.
Cantitate valabila
Configuraţie
Voltaj VCES
Colector curent IC
picture_as_pdf Module standard IGBT Infineon Module standard IGBT VEZI-L -- La comandă -- -- -- --
picture_as_pdf Module IGBT de mare putere Infineon Module IGBT de mare putere VEZI-L -- La comandă -- -- -- --
picture_as_pdf Module de alimentare PIM integrate Infineon Module de alimentare PIM integrate VEZI-L -- La comandă -- -- -- --
picture_as_pdf Module IGBT seria EASY PIM Infineon Module IGBT seria EASY PIM VEZI-L -- La comandă -- -- -- --
picture_as_pdf Module IGBT seria EconoPACK+ Infineon Module IGBT seria EconoPACK+ VEZI-L -- La comandă -- -- -- --
picture_as_pdf FS25R12YT3 IGBT module Infineon Modulul IGBT FS25R12YT3 VEZI-L FS25R12YT3 6 -- -- 1200 V 25 A
picture_as_pdf FZ800R12KS4 IGBT module Infineon Modulul IGBT FZ800R12KS4. VEZI-L FZ800R12KS4 La comandă -- -- 1200 V 800 A
picture_as_pdf FP40R12KT3 IGBT module Infineon Modulul FP40R12KT3 IGBT. VEZI-L FP40R12KT3 La comandă -- -- 1200 V 40 A
picture_as_pdf Modulul IGBT FF150R2KE3G. Infineon Modulul IGBT FF150R2KE3G. VEZI-L FF150R12KE3G La comandă -- -- 1200 V 150 A
picture_as_pdf FF200R33KF2C IGBT module Infineon FF200R33KF2C IGBT Modul. VEZI-L FF200R33KF2C La comandă -- -- 3300 V 200 A
picture_as_pdf FF200R12KS4 IGBT module Infineon Modulul IGBT FF200R12KS4. VEZI-L FF200R12KS4 La comandă -- -- 1200 V 200 A
picture_as_pdf BSM35GP120G IGBT module Infineon Modulul IGBT BSM35GP120G. VEZI-L BSM35GP120G 1 IS12 -- 1200 V 75 A
picture_as_pdf BSM50GP120 IGBT module Infineon Modulul IGBT BSM50GP120. VEZI-L BSM50GP120 La comandă IS13 -- 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM50GD120DN2 IGBT module Infineon Modulul BSM50GD120DN2 IGBT. VEZI-L BSM50GD120DN2 La comandă IS3 mostek 3-fazowy 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM75GD120DLC Moduł IGBT Infineon Modulul BSM75GD120DLC IGBT. VEZI-L BSM75GD120DLC La comandă IS8 mostek 3-fazowy 1200 V 75 A
picture_as_pdf FS300R12KE3 Moduł IGBT Infineon Modulul IGBT FS300R12KE3 VEZI-L FS300R12KE3 La comandă IS14 -- 1200 V 300 A
picture_as_pdf FF450R17IE4 IGBT Infineon FF450R17IE4 IGBT. VEZI-L FF450R17IE4 La comandă -- -- 1700 V 450 A
Rezultate pe pagina:

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.