trebuie să fii logat
-
-
-
Category
-
Semiconductori
- Diode
- Tiristoare
- Module izolate electric
- Punți redresoare
-
Tranzistori
- Tranzistoare | GeneSiC
- Module MOSFET SiC | Mitsubishi
- Module MOSFET SiC | STARPOWER
- Module ABB SiC MOSFET
- Module IGBT | MITSUBISHI
- Module tranzistor | MITSUBISHI
- Module MOSFET | MITSUBISHI
- Module tranzistor | ABB
- Module IGBT | POWEREX
- Module IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare - Carbură de siliciu (SiC)
- Accesați subcategoria
- Drivere
- Blocuri de alimentare
- Accesați subcategoria
- Traductoare electrice
-
Componente pasive (condensatori, rezistențe, siguranțe, filtre)
- Rezistori
-
Siguranţe
- Siguranţe de dimensiuni mici pentru sistemele electronice - seria ABC şi AGC
- Siguranțe tubulare cu acționare rapidă
- Siguranțe cu timp de întarziere pentru caracteristicile GL/GG și AM
- Siguranţe ultrarapide
- Siguranțe cu acționare rapidă la standarde din Marea Britanie și America
- Siguranțe cu acționare rapidă la standarde europene
- Siguranțe de tracțiune
- Siguranțe de înaltă tensiune
- Accesați subcategoria
-
Condensatori
- Condensatoare pentru motoare
- Condensatori electrolitici
- Condensatori snubbers
- Condensatori de putere
- Condensatoare pentru circuite de curent continuu DC
- Condensatoare de putere reactivă
- Condensatoare de înaltă tensiune
- Condensatoare pentru încălzirea prin inducţie
- Condensatoare de impuls
- Condensatoare DC LINK
- Condensatoare pentru circuite AC/DC
- Accesați subcategoria
- Filtre EMI
- Supercapacitori
-
Protecție la supratensiune
- Protecție la supratensiune pentru aplicații coaxiale
- Protecție la supratensiune pentru sistemele de supraveghere video
- Protecție la supratensiune pentru cablurile de alimentare
- Limitatoare pentru LED-uri
- Limitatoare de supraveghere pentru panourile solare
- Protecția sistemului de cântărire
- Protecție la supratensiune pentru Fieldbus
- Accesați subcategoria
- Accesați subcategoria
-
Relee şi contactoare
- Teoria releelor și a contactoarelor
- Relee semiconductoare AC 3-faze
- Relee semiconductoare DC
- Controlere, sisteme de control si accesorii
- Soft start si relee reversibile
- Relee electromecanice
- Contactoare
- Întrerupătoare rotative
-
Relee semiconductoare AC monofazate
- Relee semiconductoare cu o singură fază, seria 1 D2425 | D2450
- Relee în stare solidă monofazate, seria CWA și CWD
- Relee în stare solidă monofazate, seria CMRA I CMRD
- Relee semiconductoare monofazate, seria PS
- Relee semiconductoare duble și quad, AC seria D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relee monofazate serie gn
- Relee cu stare monofazată din seria Ckr
- Relee de curent alternativ monofazate pentru SERIA ERDA ȘI ERAA
- Relee monofazate 150A AC
- Relee duble semiconductoare integrate cu o radiator din șină DIN
- Accesați subcategoria
- Relee semiconductoare monofazate pentru PCB de curent alternativ
- Relee de interfaţă
- Accesați subcategoria
- Componente inductive
- Radiatoare, varistoare, protectie termica
- Ventilatoare
- Aer condiţionat, accesorii carcase industriale, Instalatii de racire
-
Baterii, încărcătoare, surse de alimentare tampon și invertoare
- Acumulatoare, încărcătoare - descriere teoretică
- Baterii cu ioni de litiu. Baterii standard. Sistem de gestionare a bateriei (BMS)
- Acumulatoare
- Încărcătoare de baterii și accesorii
- Surse de alimentare UPS și tampon
- Convertoare și accesorii pentru panouri fotovoltaice
- Stocare a energiei
- Celule de combustibil
- Baterii cu ioni de litiu
- Accesați subcategoria
-
Automatizări
- Futaba Drone Parts
- Limita de switch-uri, switch-uri micro
- Traductoare de senzori
- Pirometre
- Contoare, Relee, Indicatoare de panou
- Dispozitive de protecție industriale
- Semnalizări luminoase şi acustice
- Camera de imagistică termică
- Afișaj LED
- Echipamente de control
-
Dispozitive de înregistrare
- Înregistrator temparatură cu bandă şi indicatoare digitale de înregistrare - AL3000
- Microprocesoare, înregistrator cu ecran LCD seria KR2000
- Înregistrator KR5000
- Contorul cu funcţia de înregistrare de umiditate şi temperatură HN-CH
- Materiale consumabile pentru Înregistratoare
- Compact înregistrator grafic 71VR1
- Înregistrator KR 3000
- Înregistrator PC seria R1M
- Înregistrator PC seria R2M
- Înregistrator PC, 12 intrări izolate - RZMS
- Înregistrator PC, USB, 12 intrări izolate - RZUS
- Accesați subcategoria
- Accesați subcategoria
-
Cabluri, fire Litz, furtunuri din material plastic, conexiuni flexibile
- Fire
- Fire Litz
-
Cabluri pentru aplicaţii extreme
- Cabluri de extensie şi compensare
- Cabluri de Thermocouple
- Cabluri de conectare pentru senzori PT
- Conductor multiplu cu fire de la temp. -60C la +1400C
- Cabluri de medie tensiune
- Fire de aprindere
- Cabluri de încalzire
- Conductor singur pt. cabluri cu temp. -60C la +450C
- Cabluri pentru calea ferată
- Cabluri de încălzire Ex
- Accesați subcategoria
- Tuburi de protecție
-
Cabluri împletite
- Cabluri plate - împletite
- Cabluri - panglica rotund
- Cabluri - panglică-plat foarte flexibil
- Cabluri panglică-rotund foarte flexibil
- Împletituri de cupru cilindrice
- Împletituri de cupru cilindrice cu protecţie
- Conexiuni flexibile de împământare
- Împletituri cilindrice din oțel galvanizat inoxidabil
- Împletituri de cupru izolate PCV - temperatura până la 85 C
- Împletituri plate din aluminiu
- Set de joncţiune - tuburi și împletituri
- Accesați subcategoria
- Echipamente de tracțiune
- Terminale pentru cablu
- Bare flexibile izolate pentru autobuz
- Bare flexibile multistrat de autobuz
- Sisteme de cablare (PESZLE)
- Furtunuri
- Accesați subcategoria
- Vezi toate categoriile
-
Semiconductori
-
-
Tranzistori
Categorii
- Tranzistoare | GeneSiC
- Module MOSFET SiC | Mitsubishi
- Module MOSFET SiC | STARPOWER
- Module ABB SiC MOSFET
- Module IGBT | MITSUBISHI
- Module tranzistor | MITSUBISHI
- Module MOSFET | MITSUBISHI
- Module tranzistor | ABB
- Module IGBT | POWEREX
- Module IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare - Carbură de siliciu (SiC)
- Module tranzistor | DYNEX
- Tranzistoare MOSFET | VISHAY (IR)
- Module MOSFET SiC | POWEREX
- Module IGBT | Semikron
- Drivere MOSFET și IGBT | Semikron
- Module MOSFET | Microsemi
- Tranzistoare IGBT | VISHAY (IR)
- Module IGBT Starpower
- Tranzistoare EPC GAN
| Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
Starpower | Gd600HFX65C6H igbt. | VEZI-L | GD600HFX65C6H | La comandă | -- | C6.12 | -- | -- | -- | -- | 650 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM400gar176d un singur comutator | VEZI-L | SKM400GAR176D | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J | VEZI-L | G3F25MT06J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 77 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT12J | VEZI-L | G3F25MT12J | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F33MT06L | VEZI-L | G3F33MT06L | La comandă | -- | -- | -- | 90 A | -- | -- | -- | 64 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
Microsemi | Module MOSFET - Microsemi | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | Module IGBT - seria DIP-C.I.B/seria C.I.B. | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Infineon | Module de putere integrate PIM | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PSH30L92C6-în MOSFET SIC | VEZI-L | PSH30L92C6-W | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Three-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 30Arms V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 1700V FMF600DXE-34BN | VEZI-L | FMF600DXE-34BN | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1700 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC | VEZI-L | G3F05MT12GB2 | La comandă | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor SiC Mosfet G3F25MT06L | VEZI-L | G3F25MT06L | La comandă | -- | -- | -- | 125 A | -- | -- | -- | 88 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | Tranzistor EPC7004 | VEZI-L | EPC7004 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | 3 generația modulelor IGBT - seria U | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Infineon | Moduły IGBT dużej mocy | VEZI-L | -- | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | CMH100DY-24NFH MOSFET SIC | VEZI-L | CMH100DY-24NFH | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | PSF25S92F6 MOSFET SIC. | VEZI-L | PSF25S92F6 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SK25TMLID12F4TE2 3-Nivel | VEZI-L | SK25TMLID12F4TE2 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 3-level | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Sk50gd12t4ete2 șase pachet. | VEZI-L | SK50GD12T4ETE2 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | FMF800DC-66BEW MOSFET SiC | VEZI-L | FMF800DC-66BEW | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 3300 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC | VEZI-L | G3F18MT12FB4 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | VEZI-L | G3F75MT12K | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | |||
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | Skim400gd126dlm șase pachet | VEZI-L | SKiM400GD126DLM | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | SKM200GB12F4 Podul Jumătate | VEZI-L | SKM200GB12F4 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 200 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
Tranzistori de la un furnizor de încredere
Dacpol este un furnizor experimentat de articole esențiale pentru categoria tranzistorilor. Clienții noștri se pot baza pe calitatea produselor și serviciilor noastre, indiferent dacă cumpără module MOSFET, diode de curent continuu sau elemente semiconductoare din carbura de siliciu.
Suntem pregătiți să furnizăm cantități en-gros ale produsului pe care îl căutați, indiferent dacă comandați tranzistori individuali sau cumpărați în cantități mari, oferim o livrare completă pentru toate produsele.
Datorită celei mai înalte calități a serviciilor, oferim clienților noștri doar produse de la furnizori și producători verificați. Echipa noastră de ingineri oferă consultanță și suport tehnic în fiecare etapă, pentru a asigura clienților informații privind întreținerea și utilizarea produselor achiziționate.
Oferta Dacpol în domeniul componentelor electronice, alimentării și conectorilor este mult mai largă și include diverse articole electrice și industriale din categoria tranzistorilor. Pe site-ul nostru puteți consulta oferta completă de produse din grupa componente electronice, alimentare și conectori.
Tranzistori cu efect de câmp de la DACPOL
Oferim două tipuri de tranzistori cu efect de câmp: tranzistori MOS-FET și IGBT.
Tranzistori MOS-FET
Tranzistorii MOS-FET funcționează bine în conexiuni paralele. Pot fi conectați în paralel chiar și în zeci de bucăți. Se controlează ușor și nu necesită ajustarea curentului între ei.
Sunt disponibili în intervale de curent de la 1,1A până la 250A și tensiuni de la 12V la 900V. Tranzistorii MOS-FET sunt fabricați în următoarele tipuri de carcase: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Tranzistori IGBT
Tranzistorii IGBT se caracterizează printr-o cădere mică de tensiune la conducție (între 2,15 și 5,2V) la curenți mari (10-3600A), capacitatea de a bloca tensiuni ridicate (250-6500V), controlul prin poartă izolată și o viteză mare de comutare. Sunt produși ca module standard, module de înaltă frecvență, module de înaltă tensiune și module inteligente de înaltă tensiune. De asemenea, sunt disponibile module diodice de înaltă tensiune pentru utilizare împreună cu tranzistorii IGBT.
Calitatea ridicată a produselor oferite
Sunt disponibili în carcase electroizolate ca tranzistori individuali, module cu două tranzistori (jumătate de punte), module cu șase elemente (punte completă), module cu șapte elemente (punte completă cu tranzistor). Carcasele tipice sunt: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Tranzistorii IGBT fabricați ca module inteligente conțin pe lângă tranzistori și circuite de control, precum și protecții la scurtcircuit și supratensiune.
Verificați și produsele noastre din categoria poduri redresoare!
Ce sunt tranzistorii și care sunt tipurile lor de bază?
Tranzistorii sunt componente electronice semiconductoare cu trei electrozi, a căror funcție principală este amplificarea semnalului prin creșterea amplitudinii acestuia. De asemenea, pot controla fluxul de curent în circuitele electrice – funcționând ca un comutator. Sunt realizați din materiale semiconductoare precum siliciu sau germaniu. Primul tranzistor a fost construit în 1948 de J. Bardeen și W.H. Brattain. Inventatorii săi, împreună cu W.B. Shockley – creatorul modelului bipolar, au primit Premiul Nobel în 1956 pentru aceasta.
Componentele electronice semiconductoare cu trei electrozi se împart în două categorii principale. Prima categorie este cea a tranzistorilor cu efect de câmp, numiți și unipolari, care sunt controlați prin tensiune. Aceștia au o poartă, căreia i se aplică o tensiune ce generează un câmp electromagnetic ce modifică rezistența dintre dren și sursă, adică locul de ieșire al semnalului.
Tranzistorul bipolar, numit și cu joncțiune, este al doilea tip. Este format din bază, emițător și colector. Este controlat prin curentul care trece între emițător și bază. Tranzistorii bipolari se împart în modele n-p-n și p-n-p.
Care sunt caracteristicile tranzistorului cu efect de câmp și unde este folosit cel mai frecvent?
Tranzistorul MOS-FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), considerat un tranzistor cu efect de câmp, cu patru terminale, se caracterizează printr-o rezistență de ieșire mare și un timp foarte rapid de comutare. Din acest motiv, este folosit în special în:
- surse de alimentare în comutație, care oferă o gestionare eficientă și performantă a rețelei,
- încărcătoare pentru vehicule electrice și hibride,
- surse neîntreruptibile de alimentare (UPS),
- antrenări de motoare folosite în industria auto și industrială,
- amplificatoare audio sau de telecomunicații,
- circuite integrate, în special cele bazate pe tehnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), folosită în majoritatea microprocesoarelor actuale.
De asemenea, tranzistorii cu efect de câmp pot fi utilizați atât în circuite integrate analogice, cât și digitale.
Ce sunt tranzistorii IGBT și pentru ce sunt folosiți?
Tranzistorul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), considerat un dispozitiv cu poartă izolată, combină caracteristicile tranzistorilor bipolari și MOS-FET. Datorită acestui fapt, are un control ușor și o comutare rapidă. Tranzistorul IGBT este proiectat să gestioneze sarcini cu puteri semnificative, de până la câteva sute de kW. De asemenea, poate bloca tensiuni înalte de până la 6 kV. În același timp, utilizarea sa asigură pierderi mici de putere. Din acest motiv, acest tip de tranzistor poate fi folosit, printre altele, în:
- invertoare, unde transformă tensiunea continuă în tensiune alternativă pentru sistemele energetice,
- plite și încărcătoare inductive,
- surse de alimentare de urgență,
- surse de alimentare în comutație,
- sisteme de antrenare utilizate în industrie, cum ar fi motoarele electrice.
Postări asemănatoare
