Оптимизация момента затяжки винтов для дискретных IGBT-транзисторов: подробное руководство.

 
В области полупроводниковых приборов биполярно-униполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) играют решающую роль во многих электронных приложениях, от силовых инверторов до приводов двигателей. Достижение оптимальных тепловых характеристик в этих устройствах имеет решающее значение для обеспечения надежной и эффективной работы. В этой статье рассматривается тонкий мир момента затяжки винтов для дискретных IGBT-транзисторов, предлагаются идеи и рекомендации по достижению тонкого баланса между эффективным рассеиванием тепла и защитой целостности устройства.
 

Оставить комментарий

Код безопасности