Высокопроизводительные транзисторы MOSFET SiC Gen-3 от Navitas Semiconductor: новый стандарт производительности для индустрии искусственного интеллекта и электромобилей.

Введение

Развитие технологий SiC (карбида кремния) и GaN (нитрида галлия) вносит революционные изменения в электронную промышленность, особенно в области искусственного интеллекта (ИИ) и электромобильности (ЭМ). Компания Navitas Semiconductor, лидер в производстве полупроводников следующего поколения, представляет SiC Gen-3 'Fast' (G3F) MOSFET, которые обещают стать новым стандартом производительности для этих секторов.

Необходимость повышения эффективности в ИИ и ЭМ

Растущий интерес к ИИ и электромобильности ставит новые задачи, связанные с энергоэффективностью и плотностью мощности.

Технология SiC MOSFET третьего поколения

Транзисторы G3F используют передовую технологию «Trench-Assist Planar», которая обеспечивает множество преимуществ:

• Низкое сопротивление RDS(ON) в зависимости от температуры: Обеспечивает низкое увеличение сопротивления RDS(ON) с повышением температуры, что приводит к снижению рассеиваемой мощности. При высоких температурах обеспечивает до 20% меньшее сопротивление RDS(ON) по сравнению с конкурентами.
100% протестировано на устойчивость к лавинному пробою (UIL): Транзисторы обладают высочайшей способностью выдерживать избыточную энергию в аварийных ситуациях, обеспечивая надежность.Более длительное время работы при коротком замыкании: Они обеспечивают на 30% большее время работы при коротком замыкании, повышая их долговечность в мощных приложениях.Узкое распределение порогового напряжения: Обеспечивает простое параллельное соединение, идеально подходит для мощных приложений.ul>

Применение транзисторов G3F

Сотрудничество транзисторов G3F с центрами обработки данных AI позволяет увеличить мощность блока питания и повысить плотность мощности.

В секторе электромобильности транзисторы G3F поддерживают быстрые зарядные устройства для электромобилей и инфраструктуру придорожной зарядки, повышая эффективность и ускоряя процесс зарядки.

Преимущества транзисторов G3F

SiC MOSFET третьего поколения («быстрые») обеспечивают исключительную производительность и эффективность, что делает их идеальным решением для мощных систем. Они отличаются более длительным сроком службы и устойчивостью к экстремальным условиям эксплуатации.

Будущее технологии SiC в ИИ и электромобилях

Перспективы развития технологии SiC в контексте будущих потребностей ИИ и электромобилей многообещающие. «Быстрые» SiC MOSFET-транзисторы третьего поколения от Navitas Semiconductor могут сыграть ключевую роль в дальнейшем развитии этих секторов, обеспечивая надежность и энергоэффективность.

Краткое описание

«Быстрые» SiC MOSFET-транзисторы третьего поколения от Navitas Semiconductor представляют собой прорыв в полупроводниковых технологиях, предлагая значительные преимущества для приложений в области искусственного интеллекта и электромобилей. Их передовые технологии и превосходные характеристики делают их идеальным выбором для будущих энергетических решений.