Transistors MOSFET SiC Gen-3 « rapides » de Navitas Semiconductor : une nouvelle norme de performance pour l’industrie de l’IA et des véhicules électriques

Introduction

Le développement des technologies SiC (carbure de silicium) et GaN (nitrure de gallium) révolutionne l'industrie électronique, notamment dans les domaines de l'intelligence artificielle (IA) et de l'électromobilité (VE). Navitas Semiconductor, leader dans la production de semi-conducteurs de nouvelle génération, lance les MOSFET SiC Gen-3 « Fast » (G3F), qui promettent de devenir une nouvelle référence en matière de performance pour ces secteurs.

L'impératif d'efficacité pour l'IA et les VE

L'intérêt croissant pour l'IA et l'électromobilité soulève de nouveaux défis liés à l'efficacité énergétique et à la densité de puissance. Les MOSFET SiC « rapides » de 3e génération de Navitas Semiconductor répondent à ces besoins, offrant des performances et une fiabilité exceptionnelles.Technologie MOSFET SiC « rapides » de 3e générationLes transistors G3F utilisent la technologie avancée « Trench-Assist Planar », qui offre de nombreux avantages :Faible augmentation de la RDS(ON) en fonction de la température : Permet une faible augmentation de la RDS(ON) lorsque la température augmente, ce qui réduit la dissipation de puissance. À haute température, il offre une RDS(ON) jusqu'à 20 % inférieure à celle de la concurrence.Testé à 100 % contre les avalanches (UIL) : les transistors présentent une capacité maximale à gérer l'énergie excédentaire en cas de défaut, garantissant ainsi leur fiabilité.Durée de tenue aux courts-circuits prolongée : ils offrent une durée de tenue aux courts-circuits 30 % supérieure, ce qui accroît leur durabilité dans les applications haute puissance.Distribution de tension de seuil étroite : permet une mise en parallèle aisée, idéale pour les applications haute puissance.Applications des transistors G3FL'intégration des transistors G3F aux centres de données IA permet d'augmenter la capacité des alimentations et d'améliorer la densité de puissance. Dans le secteur de l'électromobilité, les transistors G3F prennent en charge les bornes de recharge rapide pour véhicules électriques et l'infrastructure de recharge routière, améliorant ainsi l'efficacité et accélérant le processus de recharge.Avantages des transistors G3FLes MOSFET SiC « rapides » de troisième génération offrent des performances et une efficacité exceptionnelles, ce qui en fait une solution idéale pour les systèmes haute puissance. Ils se caractérisent par une durée de vie plus longue et une résistance aux conditions de fonctionnement extrêmes.L'avenir de la technologie SiC dans l'IA et les véhicules électriquesLes perspectives de développement de la technologie SiC, dans le contexte des besoins futurs en IA et en véhicules électriques, sont prometteuses. Les MOSFET SiC « rapides » de 3e génération de Navitas Semiconductor peuvent jouer un rôle clé dans le développement de ces secteurs en garantissant fiabilité et efficacité énergétique.RésuméLes MOSFET SiC « rapides » de 3e génération de Navitas Semiconductor représentent une avancée majeure dans la technologie des semi-conducteurs, offrant des avantages considérables pour les applications d'IA et de véhicules électriques. Leur technologie de pointe et leurs excellentes performances en font un choix idéal pour les solutions énergétiques de demain.