Tranzystory IGBT firmy VISHAY (IR)

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET


Tranzystory MOS-FET dobrze...

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Obudowa
more... less
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
more... less
Napięcie VCES
more... less
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
more... less
Prąd ciągły IC przy Tc=25oC
more... less
Prąd ciagły IC przy Tc=100oC
more... less
In stock
more... less
Filter
Terméklista letöltése
Információ close
PDF Kép
Gyártó
descasc
Termék név
descasc
 Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
descasc
Obudowa
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=25oC
descasc
Napięcie VCES
descasc
Prąd ciągły ID przy Tc=100oC
descasc
Prąd ciągły IC przy Tc=25oC
descasc
Prąd ciagły IC przy Tc=100oC
descasc
picture_as_pdf Tranzystory IGBT firmy VISHAY (IR) Vishay Tranzystory IGBT firmy VISHAY (IR) ZOBACZ -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IRG4PH40KD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PH40KD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PH40KD 16 TO-247AC -- 1200 V -- 30 A 15 A
picture_as_pdf IRG4BC30UD Tranzystor IGBT Vishay IRG4BC30UD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4BC30UD TO-220AB 23 A 600 V 0:00 AM -- --
picture_as_pdf IRG4PF50W Tranzystor IGBT Vishay IRG4PF50W Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PF50W TO-247AC 51 A 900 V 28 A -- --
picture_as_pdf IRG4PH50U Tranzystor IGBT Vishay IRG4PH50U Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PH50U TO-247AC 45 A 1200 V 24 A -- --
picture_as_pdf IRG4PC40UD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PC40UD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PC40UD 24 TO-247AC 40 A 600 V 20 A -- --
picture_as_pdf IRG4BC30KD Tranzystor IGBT Vishay IRG4BC30KD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4BC30KD TO-220AB 28 A 600 V 16 A -- --
picture_as_pdf IRG4PC50F Tranzystor IGBT Vishay IRG4PC50F Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PC50F TO-247AC 70 A 600 V 39 A -- --
picture_as_pdf IRGB440U Tranzystor IGBT Vishay IRGB440U Tranzystor IGBT ZOBACZ IRGB440U TO-220AB 40 A 500 V 22 A -- --
picture_as_pdf IRG4PH50KD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PH50KD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PH50KD TO-247 -- 1200 V -- 45 A 24 A
picture_as_pdf IRG4PH40UD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PH40UD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PH40UD TO-247AC -- 1200 V -- 30 A 15 A
picture_as_pdf IRG4PC40FD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PC40FD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PC40FD TO-247AC 49 A 600 V 27 A -- --
picture_as_pdf IRG4PC50FD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PC50FD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PC50FD TO-247AC -- 600 V -- 70 A 39 A
picture_as_pdf IRG4PC50KD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PC50KD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PC50KD TO-247AC -- 600 V -- 52 A 30 A
picture_as_pdf IRG4PC50UD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PC50UD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PC50UD TO-247AC -- 600 V -- 55 A 27 A
picture_as_pdf IRG4PH50UD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PH50UD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PH50UD TO-247AC -- 1200 V -- 45 A 24 A
picture_as_pdf IRG4PSC71UD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PSC71UD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PSC71UD SUPER 247 -- 600 V -- 85 A 60 A
picture_as_pdf IRG4PSH71KD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PSH71KD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PSH71KD SUPER 247 -- 1200 V -- 78 A 42 A
picture_as_pdf IRG4PF50WD Tranzystor IGBT Vishay IRG4PF50WD Tranzystor IGBT ZOBACZ IRG4PF50WD 116 TO-247AC -- 900 V -- 51 A 28 A
picture_as_pdf IRGBC20U Tranzystor IGBT Vishay IRGBC20U Tranzystor IGBT ZOBACZ IRGBC20U TO-220AB 13 A 600 V 6,5 A -- --
Eredmények oldalanként:
Vissza az oldal tetejére

Jesteśmy doświadczonym dostawcą niezbędnych artykułów dla kategorii tranzystory.

Tranzystory polowe - oferujemy dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystory MOSFET i IGBT.

Tranzystory MOS-FET


Tranzystory MOS-FET dobrze współpracują przy połączeniach równoległych. Można je łączyć równolegle nawet do kilkudziesięciu sztuk. Łatwo się je steruje i nie wymagają korekty w rozpływie prądu obciążenia pomiędzy nimi.

Tranzystory IGBT


Tranzystory IGBT charakteryzują się niewielkim spadkiem napięcia przewodzenia (od 2,15÷5,2V) przy dużym prądzie (10÷3600A), zdolnością blokowania wysokich napięć (250÷6500V), napięciowym sterowaniem poprzez izolowaną bramkę oraz dużą szybkością przełączania. Produkowane są w postaci modułów standardowych, modułów wysokiej częstotliwości, modułów wysokonapięciowych oraz modułów inteligentnych i wysokonapięciowych modułów inteligentnych. Dodatkowo oferowane są wysokonapięciowe moduły diodowe do współpracy z tranzystorami IGBT.

Tranzystory IGBT wytwarzane w postaci modułów inteligentnych zawierają poza tranzystorami układy do ich sterowania oraz zabezpieczenia zwarciowe i przepięciowe.