IGBT tranzistoriai | VISHAY (IR)

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Korpusas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
VCES įtampa
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
more... less
In stock
more... less
Środowisko
Filter
Parsisiųsk Produktų sąrašą
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
descasc
Produkto pavadinimas
descasc
 Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
descasc
Korpusas
descasc
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
descasc
VCES įtampa
descasc
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
descasc
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
descasc
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
descasc
picture_as_pdf VISHAY (IR) įmonės IGBT tranzistoriai Vishay VISHAY (IR) įmonės IGBT tranzistoriai PAMATYKITE -- Galimas kiekis -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IRG4PH40KD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PH40KD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PH40KD 16 TO-247AC -- 1200 V -- 30 A 15 A
picture_as_pdf IRG4BC30UD IGBT tranzistorius Vishay IRG4BC30UD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4BC30UD Galimas kiekis TO-220AB 23 A 600 V 0:00 AM -- --
picture_as_pdf IRG4PF50W IGBT tranzistorius Vishay IRG4PF50W IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PF50W Galimas kiekis TO-247AC 51 A 900 V 28 A -- --
picture_as_pdf IRG4PH50U IGBT tranzistorius Vishay IRG4PH50U IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PH50U Galimas kiekis TO-247AC 45 A 1200 V 24 A -- --
picture_as_pdf IRG4PC40UD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PC40UD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PC40UD 28 TO-247AC 40 A 600 V 20 A -- --
picture_as_pdf IRG4BC30KD IGBT tranzistorius Vishay IRG4BC30KD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4BC30KD Galimas kiekis TO-220AB 28 A 600 V 16 A -- --
picture_as_pdf IRG4PC50F IGBT tranzistorius Vishay IRG4PC50F IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PC50F Galimas kiekis TO-247AC 70 A 600 V 39 A -- --
picture_as_pdf IRGB440U IGBT tranzistorius Vishay IRGB440U IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRGB440U Galimas kiekis TO-220AB 40 A 500 V 22 A -- --
picture_as_pdf IRG4PH50KD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PH50KD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PH50KD Galimas kiekis TO-247 -- 1200 V -- 45 A 24 A
picture_as_pdf IRG4PH40UD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PH40UD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PH40UD Galimas kiekis TO-247AC -- 1200 V -- 30 A 15 A
picture_as_pdf IRG4PC40FD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PC40FD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PC40FD Galimas kiekis TO-247AC 49 A 600 V 27 A -- --
picture_as_pdf IRG4PC50FD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PC50FD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PC50FD Galimas kiekis TO-247AC -- 600 V -- 70 A 39 A
picture_as_pdf IRG4PC50KD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PC50KD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PC50KD Galimas kiekis TO-247AC -- 600 V -- 52 A 30 A
picture_as_pdf IRG4PC50UD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PC50UD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PC50UD Galimas kiekis TO-247AC -- 600 V -- 55 A 27 A
picture_as_pdf IRG4PH50UD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PH50UD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PH50UD Galimas kiekis TO-247AC -- 1200 V -- 45 A 24 A
picture_as_pdf IRG4PSC71UD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PSC71UD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PSC71UD Galimas kiekis SUPER 247 -- 600 V -- 85 A 60 A
picture_as_pdf IRG4PSH71KD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PSH71KD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PSH71KD Galimas kiekis SUPER 247 -- 1200 V -- 78 A 42 A
picture_as_pdf IRG4PF50WD IGBT tranzistorius Vishay IRG4PF50WD IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRG4PF50WD 116 TO-247AC -- 900 V -- 51 A 28 A
picture_as_pdf IRGBC20U IGBT tranzistorius Vishay IRGBC20U IGBT tranzistorius PAMATYKITE IRGBC20U Galimas kiekis TO-220AB 13 A 600 V 6,5 A -- --
Rezultatai puslapyje:
Atgal į viršų

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.