Mitsubishi Electric va construi o nouă fabrică de semiconductori de putere SiC

Mitsubishi Electric Corporation a anunțat că își va dubla planul de investiții anunțat anterior la aproximativ 260 de miliarde de yeni pe parcursul perioadei de cinci ani care se încheie în martie 2026, în principal pentru construirea unei noi fabrici de napolitane pentru a crește producția de semiconductori de putere din carbură de siliciu (SiC).

În cadrul planului, Mitsubishi Electric se așteaptă să răspundă cererii în creștere rapidă de semiconductori de putere SiC pentru vehiculele electrice, precum și piețelor emergente pentru noi aplicații care necesită, de exemplu, pierderi reduse de putere, funcționare la temperaturi ridicate sau comutare rapidă. Planul va permite, de asemenea, Mitsubishi Electric să contribuie la tendința globală de transformare verde către conservarea energiei și decarbonizare.

Majoritatea investițiilor sporite, aproximativ 100 de miliarde de yeni, va fi utilizată pentru construirea unei noi fabrici de napolitane SiC de 8 inci și modernizarea instalațiilor de producție aferente. Noua fabrică, care va include propria unitate în zona Shisui din prefectura Kumamoto, va produce napolitane SiC cu diametru mare de 8 inci, va introduce o cameră curată cu eficiență energetică de ultimă generație și va oferi un nivel ridicat de capacitate de producție automatizată. Compania își va moderniza, de asemenea, instalațiile de producție de napolitane SiC de 6 inci pentru a satisface cererea tot mai mare din acest sector.

În plus, Mitsubishi Electric va investi aproximativ 10 miliarde de yeni în noua fabrică, care va consolida operațiunile existente de asamblare și inspecție a semiconductorilor de putere, răspândite în prezent în zona Fukuoka. Integrarea proiectării, dezvoltării și verificării tehnologiilor de fabricație va spori semnificativ capacitățile de creștere ale companiei și va facilita producția de masă la timp, ca răspuns la cererea pieței. Restul de 20 de miliarde de yeni vor fi alocați modernizării echipamentelor, aranjamentelor de protecție a mediului și operațiunilor conexe.

De-a lungul anilor, în calitate de lider de piață în module de putere SiC pentru aplicații precum electrocasnice și echipamente industriale, inclusiv primele module de putere SiC din lume pentru aparate de aer condiționat și trenuri de mare viteză, Mitsubishi Electric a acumulat o vastă experiență în performanță, tehnologii de ecranare fiabile și multe alte aspecte ale producției de semiconductori de putere SiC.

Consultați gama noastră de module MOSFET SiC Mitsubishi [CLICK]