Mitsubishi Electric construirá una nueva fábrica de semiconductores de potencia de SiC

 
Mitsubishi Electric Corporation anunció que duplicará su plan de inversión previamente anunciado, alcanzando aproximadamente 260 mil millones de yenes durante el período de cinco años que finaliza en marzo de 2026, principalmente para la construcción de una nueva fábrica de obleas que aumentará la producción de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC).

Con este plan, Mitsubishi Electric espera abordar la creciente demanda de semiconductores de potencia de SiC para vehículos eléctricos, así como los mercados emergentes para nuevas aplicaciones que requieren, por ejemplo, baja pérdida de potencia, funcionamiento a alta temperatura o conmutación rápida. El plan también permitirá a Mitsubishi Electric contribuir a la tendencia global de transformación ecológica hacia la conservación de la energía y la descarbonización.

La mayor parte del aumento de la inversión, aproximadamente 100 mil millones de yenes, se destinará a la construcción de una nueva fábrica de obleas de SiC de 8 pulgadas y a la modernización de las instalaciones de producción relacionadas. La nueva fábrica, que contará con instalaciones propias en la zona de Shisui, en la prefectura de Kumamoto, producirá obleas de SiC de gran diámetro de 8 pulgadas, incorporará una sala limpia con la más avanzada eficiencia energética y ofrecerá una alta capacidad de producción automatizada. La compañía también modernizará sus instalaciones de producción de obleas de SiC de 6 pulgadas para satisfacer la creciente demanda en este sector.

Además, Mitsubishi Electric invertirá aproximadamente 10 mil millones de yenes en la nueva fábrica, que consolidará sus operaciones actuales de ensamblaje e inspección de semiconductores de potencia, actualmente distribuidas en la zona de Fukuoka. La integración del diseño, el desarrollo y la verificación de las tecnologías de fabricación mejorará significativamente la capacidad de crecimiento de la compañía y facilitará la producción en masa oportuna para responder a la demanda del mercado. Los 20 mil millones de yenes restantes se destinarán a la modernización de equipos, la protección del medio ambiente y otras operaciones relacionadas.

A lo largo de los años, como líder del mercado en módulos de potencia de SiC para aplicaciones como electrodomésticos y equipos industriales, incluyendo los primeros módulos de potencia de SiC del mundo para aires acondicionados y trenes de alta velocidad, Mitsubishi Electric ha acumulado una amplia experiencia en el rendimiento, las tecnologías de blindaje fiables y muchos otros aspectos de la producción de semiconductores de potencia de SiC.


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