Fotovoltaica, sau producerea de electricitate folosind radiația solară, este un element cheie în combaterea provocărilor schimbărilor climatice și protejarea mediului.
trebuie să fii logat
-
Cum Funcționează Fotovoltaicele Solare: Principiul Panourilor SolareRead more
Fotovoltaica este un domeniu care joacă un rol cheie în furnizarea de energie electrică durabilă. Una dintre componentele cheie ale sistemelor fotovoltaice este panoul solar.
-
SILIGAINE 15C5 – înlocuitor direct pentru manșoanele de cablu OsKsRead more
Comparație între SILIGAINE 15C5 și MANȘELE IZOLATOARE ELECTRICE DIN SILICON (OSKS): Care este cel mai potrivit pentru aplicația dumneavoastră?Alegerea materialului izolator potrivit este crucială în multe domenii ale industriei electrice de astăzi. Pentru clienții care au nevoie de o izolație fiabilă a firelor, două opțiuni populare, SILIGAINE 15C5 și MANȘELE IZOLATOARE ELECTRICE DIN SILICON (OSKS), oferă multe avantaje. În acest articol, vom analiza mai atent aceste două produse, comparând...
-
Seria LR: Perfecțiune în lumină și sunetRead more
Dorim să prezentăm seria LR ca un exemplu excelent de calitate în iluminat și sunet. Această gamă de produse răspunde în mod clar nevoilor utilizatorilor care caută o iluminare excelentă și o calitate excepțională a sunetului în industria iluminatului și sunetului.
-
Modul complet SiC nou de 800A/1200VRead more
Evoluția tehnologiei SiC în modulele de putere și potențialul de reducere a pierderilor asociate acestora sunt prezentate în Figura 1. Mitsubishi a dezvoltat două noi tipuri de module complet SiC cu curenți nominali de 800A și 1200A și o tensiune nominală de 1200V [1]; [2]. Această lucrare descrie modulul de 800A.
-
Module de putere pentru combinarea inovației, flexibilității și capacității de putere în diverse topologii pe 3 niveluriRead more
Aplicațiile de conversie a puterii au trebuit întotdeauna să ofere o eficiență ridicată, menținând în același timp calitatea necesară a energiei. Profilul armonic de ieșire poate fi îmbunătățit prin creșterea frecvenței de comutare. Cu toate acestea, creșterea frecvenței de comutare compromite eficiența invertorului. Din punct de vedere istoric, invertoarele convenționale în două etape au servit industriei cu o topologie aparent simplă, în care dezvoltatorii au trebuit întotdeauna să...
-
Module IGBT de înaltă tensiune din seria X de 6500 VRead more
Pe 29 septembrie 2015, MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION a lansat primul produs din noua sa familie de produse IGBT de înaltă tensiune din seria X [1] - un modul IGBT cu o tensiune de blocare de 6500 V și un curent nominal de 1000 A. CM1000HG-130XA este dispozitivul cu cea mai mare putere din industrie pentru această clasă de tensiune (temperatura de funcționare 150 °C). Un aspect cheie al designului seriei X este combinarea tehnologiei de capsulare R, binecunoscută și dovedită, cu circuite...
-
Extinderea gamei de module IGBT de înaltă tensiune din seria X în clasa de 3300 VRead more
Principalele aplicații ale modulelor IGBT de 3300 V, cum ar fi tracțiunea, acționările de medie tensiune și transmisia și distribuția energiei electrice, necesită minimizarea absolută a defecțiunilor pe teren. Având în vedere toate condițiile de funcționare cele mai nefavorabile posibile, este necesar să se asigure că dispozitivul funcționează în siguranță, în conformitate cu specificațiile sale tehnice. Cu toate acestea, în realitate, nu este întotdeauna posibil să se prevadă toate...
-
LV100 - un modul de alimentare dublă pentru invertoarele feroviare de generație următoareRead more
Topologia modulului de putere este una de tip semi-punte. Scopul principal al creării unui astfel de modul dual este de a reduce inductanța parazitară internă a modulului. Pentru a minimiza vârful de tensiune intern - una dintre constrângerile pentru menținerea curentului maxim de ieșire al invertorului în cadrul RBSOA (Reverse Safe Operation Area - Zona de Operare Inversă Sigură), este necesară reducerea inductanței parazitare a modulului. Fiecare nouă generație de circuite integrate...
-
Module de putere SiC pentru o gamă largă de aplicațiiRead more
Modulele de alimentare SiC disponibile în prezent de la Mitsubishi Electric (vezi Figura 1) aparțin primei faze de comercializare a tehnologiei SiC, care a început în jurul anului 2010.
-
Driverele de poartă pentru modulele SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC îmbunătățesc observabilitatea și performanța sistemuluiRead more
Noua familie de drivere de poartă SCALE-iFlex LT NTC de la PI oferă date despre coeficientul de temperatură negativ (NTC), permițând o gestionare termică precisă a sistemelor de conversie și asigurând o adaptare corectă a curentului. Îmbunătățește dramatic fiabilitatea generală a sistemului de energie regenerabilă și a sistemelor feroviare cu module multiple aranjate în paralel.
-
Studiul parametrilor pentru explozivitatea prafurilor combustibileRead more
Acest text își propune să ofere îndrumări practice pentru cei care se confruntă cu necesitatea de a evalua cerințele de siguranță în instalațiile industriale unde particulele combustibile (praf) sunt procesate în cantități mari. Din perspectiva siguranței procesului, este recomandabil să se testeze praful pentru a determina riscul. Ce tipuri de praf ar trebui testate? Ce teste sunt necesare? Când pot fi utilizate valorile obținute din surse publicate? Acestea sunt câteva dintre aspectele care...
-
Module de putere IGBT de 4500V din seria X cu densitate mare de putere și performanță ridicatăRead more
Mitsubishi Electric a început inițial să dezvolte IGBT-uri de 4500V la mijlocul anilor 1990. Comercializarea modulelor IGBT standard în această clasă de tensiune a început la începutul anilor 2000. Aceasta a oferit o soluție mai eficientă și mai compactă în comparație cu dispozitivele GTO press-pack de 4500V existente. Această dezvoltare a fost determinată în principal de aplicații în domeniul căilor ferate și al acționărilor de medie tensiune. Între timp, este disponibilă o gamă largă de...
-
MOSFET-uri complet SiC de 3,3 kV – Către invertoare de tracțiune de înaltă performanțăRead more
Cipurile semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) sunt considerate o inovație majoră în electronica de putere modernă. Comparativ cu cipurile clasice din siliciu (Si), SiC permite convertoare mai eficiente și mai compacte, economisind energie electrică și materiale valoroase.
-
Noțiuni de bază despre compatibilitatea electromagnetică: Ce este și de ce este importantă? 8 din 8Read more
Pe măsură ce numărul și complexitatea dispozitivelor electronice cresc, nevoia de a asigura funcționarea armonioasă și coexistența acestor dispozitive devine din ce în ce mai importantă. Prin urmare, este important să subliniem importanța Compatibilității Electromagnetice. Iată câteva aspecte cheie care subliniază importanța acesteia:
-
Câștigând viteză: Module de alimentare SiC Mitsubishi ElectricRead more
Activitățile de cercetare în domeniul SiC din Japonia sunt coordonate de o organizație numită NEDO (New Energy and Industrial Development Organization - Organizația pentru Dezvoltare Industrială și Energie Nouă). NEDO este cea mai mare organizație publică de cercetare și dezvoltare din Japonia, coordonând eforturile de inovare în direcții strategice. Dezvoltarea de module de putere SiC de înaltă densitate și înaltă tensiune de izolație este una dintre principalele direcții de cercetare și...
-
Noțiuni de bază despre compatibilitatea electromagnetică: Ce este și de ce este importantă? 7 din 8Read more
Iată câteva aspecte importante de luat în considerare atunci când proiectați echipamentul având în vedere compatibilitatea electromagnetică (EMC):
-
Module de alimentare HVIGBT din seria X de 1700 V cu performanțe și fiabilitate excelenteRead more
Mitsubishi Electric are mulți ani de experiență și o lungă istorie în dezvoltarea de module de 1700V pentru aplicații feroviare încă de la începutul acestui secol. Anul acesta, MITSUBISHI ELECTRIC a introdus cea mai recentă generație de module de putere IGBT de 1700V, numită seria X, care îndeplinește cerințele aplicațiilor feroviare. Figura 1 prezintă dezvoltarea istorică a modulelor HVIGBT de 1700V, indicând reducerea continuă a tensiunii directe IGBT. Tensiunea directă IGBT contribuie la...