Hoy en día, la energía solar es un componente importante de los esfuerzos globales por el desarrollo sostenible y la lucha contra los desafíos del cambio climático. Los paneles solares, especialmente los fotovoltaicos, se han convertido en una solución popular para generar electricidad limpia.
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Beneficios ambientales de la energía fotovoltaica: protección del medio ambiente y desarrollo sostenibleRead more
La energía fotovoltaica, o producción de electricidad a partir de la radiación solar, es un elemento clave para combatir los desafíos del cambio climático y proteger el medio ambiente.
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Cómo funcionan las fotovoltaicas solares: El principio de los paneles solaresRead more
La energía fotovoltaica es un campo clave para el suministro de electricidad sostenible. Uno de los componentes clave de los sistemas fotovoltaicos es el panel solar.
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SILIGAINE 15C5: reemplazo directo de los manguitos de cable OsKsRead more
Comparación de SILIGAINE 15C5 vs. FUNDAS AISLANTES ELÉCTRICAS DE SILICONA (OSKS): ¿Cuál es la mejor opción para su aplicación?Elegir el material aislante adecuado es crucial en muchas áreas de la industria eléctrica actual. Para quienes necesitan un aislamiento de cables confiable, dos opciones populares, SILIGAINE 15C5 y FUNDAS AISLANTES ELÉCTRICAS DE SILICONA (OSKS), ofrecen numerosas ventajas. En este artículo, analizaremos estos dos productos en detalle, comparando sus características,...
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Serie LR: Perfección en luz y sonidoRead more
Presentamos la Serie LR como un ejemplo perfecto de calidad en iluminación y sonido. Esta gama de productos responde claramente a las necesidades de los usuarios que buscan una iluminación excelente y una calidad de sonido excepcional en la industria de la iluminación y el sonido.
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Nuevo módulo SiC completo de 800 A/1200 VRead more
La evolución de la tecnología de SiC en módulos de potencia y el potencial para reducir las pérdidas asociadas se muestran en la Figura 1. Mitsubishi ha desarrollado dos nuevos tipos de módulos totalmente de SiC con corrientes nominales de 800 A y 1200 A, y una tensión nominal de 1200 V [1]; [2]. Este artículo describe el módulo de 800 A.
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Módulos de potencia para combinar innovación, flexibilidad y capacidad de potencia en las distintas topologías de 3 nivelesRead more
Las aplicaciones de conversión de energía siempre han requerido una alta eficiencia, manteniendo la calidad de energía requerida. El perfil armónico de salida se puede mejorar aumentando la frecuencia de conmutación. Sin embargo, aumentar la frecuencia de conmutación compromete la eficiencia del inversor. Históricamente, los inversores convencionales de dos etapas han servido a la industria con una topología aparentemente simple, donde los desarrolladores siempre han tenido que equilibrar la...
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Módulos IGBT de alto voltaje de la serie X de 6500 VRead more
El 29 de septiembre de 2015, MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION lanzó el primer producto de su nueva familia de IGBT de alta tensión Serie X [1]: un módulo IGBT con una tensión de bloqueo de 6500 V y una corriente nominal de 1000 A. El CM1000HG-130XA es el dispositivo con la mayor potencia nominal del sector para esta clase de tensión (temperatura de funcionamiento: 150 °C). Un aspecto clave del diseño de la Serie X es la combinación de la reconocida y probada tecnología de encapsulado de la...
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Ampliación de la gama de módulos IGBT de alto voltaje de la serie X en la clase de 3300 VRead more
Las principales aplicaciones de los módulos IGBT de 3300 V, como tracción, variadores de media tensión y transmisión y distribución de energía, requieren la minimización absoluta de fallos de campo. Considerando todas las posibles condiciones de funcionamiento más desfavorables, es necesario garantizar que el dispositivo funcione de forma segura dentro de sus especificaciones técnicas. Sin embargo, en la práctica, no siempre es posible predecir todas las condiciones de funcionamiento más...
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LV100: un módulo de potencia dual para los inversores ferroviarios de próxima generaciónRead more
La topología del módulo de potencia es de medio puente. El objetivo principal de crear un módulo dual de este tipo es reducir su inductancia parásita interna. Para minimizar el pico de tensión interna, una de las limitaciones para mantener la corriente de salida máxima del inversor dentro del RBSOA (Área de Operación Segura Inversa), es necesario reducir la inductancia parásita del módulo. Cada nueva generación de circuitos integrados presenta una mayor caída de corriente di/dt, lo que...
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Módulos de potencia de SiC para una amplia gama de aplicacionesRead more
Los módulos de potencia de SiC actualmente disponibles de Mitsubishi Electric (ver Figura 1) pertenecen a la primera fase de comercialización de la tecnología de SiC, que comenzó alrededor de 2010.
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Los controladores de compuerta del módulo IGBT/SiC NTC SCALE-iFlex LT mejoran la observabilidad y el rendimiento del sistemaRead more
La nueva familia de controladores de compuerta NTC SCALE-iFlex LT de PI proporciona datos de coeficiente de temperatura negativo (NTC), lo que permite una gestión térmica precisa de los sistemas de conversión y garantiza una adaptación de corriente adecuada. Mejora drásticamente la fiabilidad general de los sistemas de energía renovable y ferroviarios con múltiples módulos dispuestos en paralelo.
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Estudio de parámetros de explosividad de polvos combustiblesRead more
Este texto busca proporcionar una guía práctica para quienes necesitan evaluar los requisitos de seguridad en plantas industriales donde se procesan grandes cantidades de partículas combustibles (polvo). Desde la perspectiva de la seguridad del proceso, es recomendable realizar pruebas de polvo para determinar el riesgo. ¿Qué polvos deben analizarse? ¿Qué pruebas son necesarias? ¿Cuándo se pueden utilizar los valores obtenidos de fuentes publicadas? Estos son algunos de los temas que se...
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Módulos de potencia IGBT de 4500 V de la serie X de alta densidad de potencia y alto rendimientoRead more
Mitsubishi Electric comenzó a desarrollar IGBT de 4500 V a mediados de la década de 1990. La comercialización de módulos IGBT estándar en esta clase de voltaje comenzó a principios de la década de 2000. Esto ofreció una solución más eficiente y compacta en comparación con los dispositivos GTO de 4500 V preempaquetados existentes. Este desarrollo se debió principalmente a aplicaciones en ferrocarriles y variadores de media tensión. Actualmente, existe una amplia variedad de módulos IGBT de...
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MOSFET de SiC de 3,3 kV: hacia inversores de tracción de alto rendimientoRead more
Los chips semiconductores de carburo de silicio (SiC) se consideran una innovación clave en la electrónica de potencia moderna. En comparación con los chips de silicio (Si) clásicos, el SiC permite convertidores más eficientes y compactos, ahorrando electricidad y materiales valiosos.
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Fundamentos de la compatibilidad electromagnética: ¿Qué es y por qué es importante? 8 de 8Read more
A medida que crece el número y la complejidad de los dispositivos electrónicos, la necesidad de garantizar su funcionamiento armonioso y la coexistencia entre ellos cobra cada vez mayor importancia. Por lo tanto, es fundamental destacar la importancia de la compatibilidad electromagnética. A continuación, se presentan algunos aspectos clave que la subrayan:
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Ganando velocidad: módulos de potencia de SiC de Mitsubishi ElectricRead more
Las actividades de investigación de SiC en Japón están coordinadas por NEDO (Organización para el Desarrollo Industrial y de Nuevas Energías). NEDO es la mayor organización pública de investigación y desarrollo de Japón y coordina esfuerzos de innovación en direcciones estratégicas. El desarrollo de módulos de potencia de SiC de alta densidad y alto voltaje de aislamiento es una de las principales líneas de investigación y desarrollo de NEDO, y Mitsubishi Electric es un actor clave en este...
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Fundamentos de la compatibilidad electromagnética: ¿Qué es y por qué es importante? 7 de 8Read more
A continuación se presentan algunos puntos importantes a tener en cuenta al diseñar su equipo teniendo en cuenta la compatibilidad electromagnética (EMC):