Полуводички елементи са силиконским карбидом
  • Полуводички елементи са силиконским карбидом

Фотографије су само у информативне сврхе. Погледајте спецификацију производа

please use latin characters

Произвођач: Mitsubishi

Полуводички елементи са силиконским карбидом

Diode i potpuno kontrolirani elementi izrađeni u SiC tehnologiji su novi Dacpol proizvodi. Silicij karbid (SiC) je materijal koji omogućava proizvodnju poluvodičkih elemenata s vrlo atraktivnim parametrima. U usporedbi s klasičnim silicijskim elementima, SiC poluvodiči imaju veliki otpor prema prenaponskim vrijednostima. Oni također imaju visoku radnu temperaturu, nizak otpor tijekom provođenja.

Schottky-ove diode, koje su u ovom trenutku najpopularniji SiC element, imaju vrlo kratko vrijeme trr-a i mali povratni naboj za oporavak. Gornja svojstva omogućuju korištenje tih elemenata kao diode unatrag i nula, što smanjuje gubitke snage pretvarača i omogućava rad na većoj frekvenciji. 
Slično, upotreba potpuno kontroliranih elemenata poput JFET i BJT omogućuju smanjenje gubitaka pretvarača, povećanje njegove radne temperature i frekvencije. Zbog toga možemo dizajnirati mali uređaj, visoku gustoću snage i visoku kvalitetu izlazne snage.

Poluvodiči izrađeni u SiC tehnologiji koriste se u područjima gdje je potrebna visoka razina pouzdanosti.
• Pretvarači visoke frekvencije.
• Pretvarači koji rade s fotonaponskim ćelijama.
• Sustavi za korekciju faktora snage
• Visokotemperaturni DC / DC i AC / DC pretvarači
• UPS
• Rezonantni sustavi
• Elektronički uređaji

 

SiC JFET Transistori
Tip VDS
[V]		 ID /Tj
[A/°C]		 RDS(ON)
[Ω]		 Kind Kućište

SJEP120R100

 1200 17 / 125 12 / 175 0,1 NO TO-247

SJEP170R550

 1700 4 / 125 3 / 175 0,55 NO TO-247

SJEP120R063

 1200 30 / 125 20 / 175 0,063 NO TO-247

SJDP120R085

 1200 52 / 100 43 / 150 0,085 NO TO-247

SJEN120R025

 1200 68 / 100 46 / 150 0,025 NO SOT-227



Kućište TO - 247

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Casing TO-247
Kućište SOT-227

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Casing SOT-227
 
Transistor SJEP120R063 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Transistor SJEP120R063 output characteristics

Transistor SJEP120R100 izlazne karakteristikeSiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Transistor SJEP120R100 output characteristics
SJEP170R550 izlazne karakteristike

Transistor SJEP120R100 output characteristics

SJDP120R085 izlazne karakteristike

SJDP120R085 output characteristics

SiC Schottky diode

 

Tip VDS
[V]		 ID/Tj 
[A/°C]		 QC
[nC]		 Konfiguracija Kućište

SDA05S120

 1200 12 / 100 8 / 145 35 1 TO-220

SDA10S120

 1200 21 / 100 10 / 145 64 1 TO-220

SDP30S120

 1200 45,8 / 100 30 / 130 194 1 TO-247

SDP10S120D

 1200 10 / 100 6 / 145 35 2 TO-247

SDP20S120D

 1200 18 / 100 20 / 145 129 2 TO-247



Konfiguracija 1
Konfiguracija 2
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Configuration 1 SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Configuration 1
SDA05S120 karakteristika napona struje
SDA10S120 karakteristika napona struje
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDA05S120 current-voltage characteristic SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDA10S120 current-voltage characteristic
SDP10S120D karakteristika napona struje
SDP20S120D karakteristika napona struje
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDP10S120D current-voltage characteristic SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDP20S120D current-voltage characteristic
 SDP30S120 karakteristika napona struje
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDP30S120 current-voltage characteristic

 

SiC BJT Transistori



Type VDS
[V]		 IF/Tj 
[A/°C]		 VCE(SAT)
[V]		 RON(SAT)
[mΩ]		 Tj(max) 
[°C]		 Kućište

BT1206AC-P1

 1200 6 / 25 0,75 125 175 TO-247

BT1220AC-P1

 1200 20 / 25 0,75 38 175 TO-247

BT1206AB-P1

 1200 45,8 / 25 1 167 250 TO-258

BT1220AB-P1

 1200 20 / 25 1 50 250 TO-258



Standard
Visoka temperatura
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Standard SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - High temperature



BT1206AC-P1 izlazne karakteristikeSiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1206AC-P1 Output characteristics
BT1220AC-P1 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1220AC-P1 Output characteristics

BT1206AB-P1 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1206AB-P1 Output characteristics

BT1220AB-P1 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1220AB-P1 Output characteristics

Мање
Опширније

Пошаљите упит

Да ли вас занима овај производ? Да ли су вам потребне додатне информације или појединачне цене?

Контактирајте нас

Питајте производ close
Порука је послата.
Питајте производ close
Прегледајте

Додај у листу жеља

морате бити пријављени

Diode i potpuno kontrolirani elementi izrađeni u SiC tehnologiji su novi Dacpol proizvodi. Silicij karbid (SiC) je materijal koji omogućava proizvodnju poluvodičkih elemenata s vrlo atraktivnim parametrima. U usporedbi s klasičnim silicijskim elementima, SiC poluvodiči imaju veliki otpor prema prenaponskim vrijednostima. Oni također imaju visoku radnu temperaturu, nizak otpor tijekom provođenja.

Schottky-ove diode, koje su u ovom trenutku najpopularniji SiC element, imaju vrlo kratko vrijeme trr-a i mali povratni naboj za oporavak. Gornja svojstva omogućuju korištenje tih elemenata kao diode unatrag i nula, što smanjuje gubitke snage pretvarača i omogućava rad na većoj frekvenciji. 
Slično, upotreba potpuno kontroliranih elemenata poput JFET i BJT omogućuju smanjenje gubitaka pretvarača, povećanje njegove radne temperature i frekvencije. Zbog toga možemo dizajnirati mali uređaj, visoku gustoću snage i visoku kvalitetu izlazne snage.

Poluvodiči izrađeni u SiC tehnologiji koriste se u područjima gdje je potrebna visoka razina pouzdanosti.
• Pretvarači visoke frekvencije.
• Pretvarači koji rade s fotonaponskim ćelijama.
• Sustavi za korekciju faktora snage
• Visokotemperaturni DC / DC i AC / DC pretvarači
• UPS
• Rezonantni sustavi
• Elektronički uređaji

 

SiC JFET Transistori
Tip VDS
[V]		 ID /Tj
[A/°C]		 RDS(ON)
[Ω]		 Kind Kućište

SJEP120R100

 1200 17 / 125 12 / 175 0,1 NO TO-247

SJEP170R550

 1700 4 / 125 3 / 175 0,55 NO TO-247

SJEP120R063

 1200 30 / 125 20 / 175 0,063 NO TO-247

SJDP120R085

 1200 52 / 100 43 / 150 0,085 NO TO-247

SJEN120R025

 1200 68 / 100 46 / 150 0,025 NO SOT-227



Kućište TO - 247

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Casing TO-247
Kućište SOT-227

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Casing SOT-227
 
Transistor SJEP120R063 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Transistor SJEP120R063 output characteristics

Transistor SJEP120R100 izlazne karakteristikeSiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Transistor SJEP120R100 output characteristics
SJEP170R550 izlazne karakteristike

Transistor SJEP120R100 output characteristics

SJDP120R085 izlazne karakteristike

SJDP120R085 output characteristics

SiC Schottky diode

 

Tip VDS
[V]		 ID/Tj 
[A/°C]		 QC
[nC]		 Konfiguracija Kućište

SDA05S120

 1200 12 / 100 8 / 145 35 1 TO-220

SDA10S120

 1200 21 / 100 10 / 145 64 1 TO-220

SDP30S120

 1200 45,8 / 100 30 / 130 194 1 TO-247

SDP10S120D

 1200 10 / 100 6 / 145 35 2 TO-247

SDP20S120D

 1200 18 / 100 20 / 145 129 2 TO-247



Konfiguracija 1
Konfiguracija 2
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Configuration 1 SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Configuration 1
SDA05S120 karakteristika napona struje
SDA10S120 karakteristika napona struje
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDA05S120 current-voltage characteristic SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDA10S120 current-voltage characteristic
SDP10S120D karakteristika napona struje
SDP20S120D karakteristika napona struje
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDP10S120D current-voltage characteristic SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDP20S120D current-voltage characteristic
 SDP30S120 karakteristika napona struje
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - SDP30S120 current-voltage characteristic

 

SiC BJT Transistori



Type VDS
[V]		 IF/Tj 
[A/°C]		 VCE(SAT)
[V]		 RON(SAT)
[mΩ]		 Tj(max) 
[°C]		 Kućište

BT1206AC-P1

 1200 6 / 25 0,75 125 175 TO-247

BT1220AC-P1

 1200 20 / 25 0,75 38 175 TO-247

BT1206AB-P1

 1200 45,8 / 25 1 167 250 TO-258

BT1220AB-P1

 1200 20 / 25 1 50 250 TO-258



Standard
Visoka temperatura
SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - Standard SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - High temperature



BT1206AC-P1 izlazne karakteristikeSiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1206AC-P1 Output characteristics
BT1220AC-P1 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1220AC-P1 Output characteristics

BT1206AB-P1 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1206AB-P1 Output characteristics

BT1220AB-P1 izlazne karakteristike

SiliconCarbide (SiC) semiconductor elements - BT1220AB-P1 Output characteristics

Мање
Опширније