Повністю кремнієві MOSFET-транзистори 3,3 кВ – на шляху до високопродуктивних тягових інверторів

 

Напівпровідникові мікросхеми з карбіду кремнію (SiC) вважаються важливою інновацією в сучасній силовій електроніці. Порівняно з класичними кремнієвими (Si) мікросхемами, SiC дозволяє створювати ефективніші та компактніші перетворювачі, заощаджуючи електроенергію та цінні матеріали.

 

Leave a comment

Security code