G3R40MT12D MOSFET SIC
G3R40MT12D MOSFET SIC

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

please use latin characters

Producent: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12D MOSFET SIC

  • G3R40MT12D
  • Тип корпуса TO-247-3
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 63 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
New

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Mniej
Czytaj więcej
77,69 PLN
77,69 PLN Cena brutto/szt.
63,16 PLN Cena netto/szt.
Tax included

Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie

Można złożyć zamówienie wstepne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.

Volume discounts

Quantity Unit discount You Save
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 8,61 PLN 1 033,20 PLN
Obecnie brak na stanie
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Тип корпуса TO-247-3
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 63 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
New

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Mniej
Czytaj więcej

Статті

SiC-діоди Шотткі MPS™ SiC-діоди Шотткі MPS™
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
Об'єднані PiN-діоди Шотткі (MPS) – це нова конструкція GeneSiC, яка поєднує найкращі характеристики структур PiN та...
Read more
Comments (0)