G3R40MT12J MOSFET SIC
G3R40MT12J MOSFET SIC

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

please use latin characters

Producent: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12J MOSFET SIC

  • G3R40MT12J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 66 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 47 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V

The "G3R40MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Mniej
Czytaj więcej
61,17 PLN
61,17 PLN Cena brutto/szt.
49,73 PLN Cena netto/szt.
Tax included

Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie

Można złożyć zamówienie wstepne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.

Obecnie brak na stanie
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 66 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 47 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 34 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 40 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V

The "G3R40MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Mniej
Czytaj więcej

Статті

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Comments (0)