Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J
Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J

Фотографії призначені тільки для інформаційних цілей. Подивитися специфікацію продукту

please use latin characters

Виробник: GeneSiC Semiconductor

Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J

  • G3F33MT06J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 80 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 56 A
  • Напруга UDS 650 V
  • RDS(ON) при VGS = 18 В 28,5 mΩ
  • RDS(ON) при VGS = 15 В 38 mΩ

Відправити запит

Ви зацікавлені у цьому продукті? Вам потрібна додаткова інформація або індивідуальні розцінки?

Зв'яжіться з нами
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Додати до списку бажань

Ви повинні увійти в систему

  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 80 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 56 A
  • Напруга UDS 650 V
  • RDS(ON) при VGS = 18 В 28,5 mΩ
  • RDS(ON) при VGS = 15 В 38 mΩ

Статті

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Коментарі (0)