GeneSiC транзистори

SiC MOSFET транзистори на GeneSiC осигуряват отлична проводимост и производителност на превключване в сравнение със силиций (Si) поради техните характеристики „широка забранена зона“ и висока якост на електрическото поле.

Патентованата...

SiC MOSFET транзистори на GeneSiC осигуряват отлична проводимост и производителност на превключване в...

Прочетете още

Категории

Показване на филтри
Скриване на филтриФилтрацияПоказване на филтри X
Manufacturers
more... less
Вид корпус
more... less
Постоянен ток ID при Tc=25oC
more... less
Конфирурация
more... less
Постоянен ток ID при Tc=100oC
more... less
RDS(ON) за VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) за VGS = 15 V
more... less
Напрежение UDS
more... less
more... less
more... less
more... less
more... less
more... less
Filter
Изтеглете списъка с продукти
Информация close
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
PDF Образ
Производител
descasc
Име на продукта
descasc
 Вижте продукта Не. Производител
Налично количество
descasc
Вид корпус
descasc
Постоянен ток ID при Tc=25oC
descasc
Конфирурация
descasc
Постоянен ток ID при Tc=100oC
descasc
RDS(ON) за VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) за VGS = 15 V
descasc
Напрежение UDS
descasc
descasc
descasc
descasc
descasc
descasc
-- SiC транзистор G2R325MS65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC транзистор G2R325MS65-CAx ВИЖ ГО G2R325MS65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F34MT12K транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12K транзистор ВИЖ ГО G3F34MT12K On Order TO-247-4 63 A -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F34MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F34MT12J On Order TO-263-7 68 A -- 48 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F25MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F25MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC Mosfet G3F25MT12K транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12K транзистор ВИЖ ГО G3F25MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC Mosfet G3F18MT12K транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F18MT12K транзистор ВИЖ ГО G3F18MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F18MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F18MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F18MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F60MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F60MT06L транзистор ВИЖ ГО G3F60MT06L On Order 48 A -- 34 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F45MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F45MT06L транзистор ВИЖ ГО G3F45MT06L On Order 61 A -- 43 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F33MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F33MT06L транзистор ВИЖ ГО G3F33MT06L On Order 90 A -- 64 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F25MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT06L транзистор ВИЖ ГО G3F25MT06L On Order 125 A -- 88 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K ВИЖ ГО G3F75MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ВИЖ ГО G3F75MT12J On Order TO-263-7 31 A -- 22 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ВИЖ ГО G3F40MT12K On Order TO-247-4 -- 39 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ВИЖ ГО G3F40MT12J On Order TO-263-7 -- 42 A -- -- 1200 V -- -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ВИЖ ГО G3F20MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ВИЖ ГО G3F20MT12J On Order TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ВИЖ ГО G3F60MT06K On Order TO-247-4 42 A -- 30 A -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F65MT12J On Order TO-263-7 37 A -- 26 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12K транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12K транзистор ВИЖ ГО G3F65MT12K On Order TO-247-4 35 A -- 25 A -- -- 1200 V -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F135MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F135MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F135MT12J On Order TO-263-7 18 A -- 13 A -- -- 1200 V -- -- -- --
-- SiC транзистор G2R300MT65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC транзистор G2R300MT65-CAx ВИЖ ГО G2R300MT65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- --
-- SiC транзистор G2R50MS65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC транзистор G2R50MS65-CAx ВИЖ ГО G2R50MS65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- -- --
-- SiC транзистор G2R50MT65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC транзистор G2R50MT65-CAx ВИЖ ГО G2R50MT65-CAx On Order -- -- -- -- -- -- -- --
Резултати на страница:
Върнете се в началото

SiC MOSFET транзистори на GeneSiC осигуряват отлична проводимост и производителност на превключване в сравнение със силиций (Si) поради техните характеристики „широка забранена зона“ и висока якост на електрическото поле.

Патентованата технология Trench-Assisted Planar на GeneSiC осигурява най-ниския коефициент RDS(ON) при високи температури и най-ниски загуби на енергия при високи скорости. Това позволява постигане на безпрецедентни, водещи в индустрията нива на производителност, здравина и качество.

Каним ви да разгледате най-широката гама от SiC MOSFET транзистори от 650 V до 6,5 kV.

Подобни публикации

Navitas представя най-новите SiCPAK™ модули за мощност – нов стандарт за надеждност и ефективност при високи температури
Navitas представя най-новите SiCPAK™ модули за мощност – нов стандарт за надеждност и ефективност при високи температури
Публикувано в: R&D
25-04-2025
Navitas Semiconductor, лидер в технологиите GaN и SiC, представи новите SiCPAK™ 1200V модули с епоксидна изолация,...
Read more