MOSFET tranzistory

MOSFETy se používají v různých technických řešeních, včetně:

• spínaných napájecích zdrojů,
• inteligentních sítí a HVDC,
• elektromobility,
• fotovoltaických instalací a skladování energie,
• indukčního ohřevu,
• nabíječek pro elektromobily,
• pohonů motorů,
• vysokonapěťových měničů,
• svařování.

Použití karbidu křemíku (SiC) v MOSFETech GeneSiC G3R™ SiC umožňuje bezprecedentní úroveň výkonu při vysokých teplotách a promítá se do spolehlivosti zařízení.

Konstrukce MOSFET G3R™ SiC umožňuje provoz při teplotách až 175 °C. Díky moderním technologiím mají tyto tranzistory nízké ztráty vedením. Navíc se vyznačují vysokou zkratovou odolností.

MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) – technologie pro výrobu tranzistorů s efektem pole s izolovanou hradlou a integrovaných obvodů. V současné době je to základní technologie pro výrobu většiny integrovaných obvodů používaných v počítačích a je součástí technologie CMOS.

V technologii MOSFET se tranzistory vyrábějí ve třech vrstvách. Spodní vrstva je destička vyříznutá z monokrystalu křemíku nebo křemíku dopovaného germaniem. Na tuto destičku je nanesena velmi tenká vrstva oxidu křemičitého nebo jiného oxidu kovu či polokovu, která slouží jako izolant. Tato vrstva musí být souvislá (bez děr), ale co nejtenčí. V současné době je v technologicky nejvyspělejších procesorech tato vrstva tlustá pět částic oxidu. Na vrstvu oxidu je nanesena velmi tenká vrstva vysoce vodivého kovu (např. zlata). Třívrstvý systém vytváří jednoduchý tranzistor nebo jednu logickou bránu procesorového čipu.

Více o SIC MOSFET výkonových tranzistorech.

Zeptejte se na [email protected]