MOSFET-транзистори

МОП-транзистори використовуються в різних технічних рішеннях, зокрема:

• імпульсні джерела живлення,
• розумні мережі та HVDC,
• електромобільність,
• фотоелектричні установки та накопичення енергії,
• індукційний нагрів,
• зарядні пристрої для електромобілів,
• приводи двигунів,
• високовольтні перетворювачі,
• зварювання.

Використання карбіду кремнію (SiC) у МОП-транзисторах GeneSiC G3R™ SiC забезпечує безпрецедентний рівень високотемпературної продуктивності та забезпечує надійність пристрою.

Конструкція MOSFET G3R™ SiC дозволяє працювати за температур до 175°C. Завдяки сучасним технологіям ці транзистори мають низькі втрати провідності. Крім того, вони характеризуються високою стійкістю до короткого замикання.

MOSFET (метал-оксид-напівпровідниковий польовий транзистор) – технологія виготовлення польових транзисторів з ізольованим затвором та інтегральних схем. Наразі це базова технологія виготовлення більшості інтегральних схем, що використовуються в комп'ютерах, і є компонентом CMOS-технології.

У технології MOSFET транзистори виготовляються у три шари. Нижній шар – це пластина, вирізана з монокристала кремнію або кремнію, легованого германієм. На цю пластину наноситься дуже тонкий шар кремнезему або іншого оксиду металу чи напівметалу, який діє як ізолятор. Цей шар має бути безперервним (без отворів), але якомога тоншим. Наразі в найтехнологічніших процесорах цей шар має товщину п'ять частинок оксиду. Поверх шару оксиду наноситься дуже тонкий шар високопровідного металу (наприклад, золота). Тришарова система створює простий транзистор або один логічний вентиль процесорного чіпа.

Більше про SIC MOSFET потужні транзистори.

Запитайте на [email protected]