transistors MOSFET

Les MOSFET sont utilisés dans diverses solutions techniques, notamment :

• Alimentations à découpage,
• Réseaux intelligents et HVDC,
• Électromobilité,
• Installations photovoltaïques et stockage d'énergie,
• Chauffage par induction,
• Chargeurs pour véhicules électriques,
• Variateurs de moteurs,
• Convertisseurs haute tension,
• Soudage.

L'utilisation du carbure de silicium (SiC) dans les MOSFET GeneSiC G3R™ SiC permet d'atteindre des niveaux de performance à haute température sans précédent et garantit une fiabilité accrue des composants.

Construction Le MOSFET G3R™ SiC  permet un fonctionnement à des températures allant jusqu'à 175 °C. Grâce aux technologies modernes, ces transistors présentent de faibles pertes par conduction. De plus, ils se caractérisent par une haute résistance aux courts-circuits.

MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) : technologie de fabrication de transistors à effet de champ à grille isolée et de circuits intégrés. Il s'agit actuellement de la technologie de base pour la fabrication de la plupart des circuits intégrés utilisés dans les ordinateurs et d'un composant de la technologie CMOS.

Dans la technologie MOSFET, les transistors sont fabriqués sur trois couches. La couche inférieure est une plaquette découpée dans un monocristal de silicium ou de silicium dopé au germanium. Une très fine couche de silice, d'oxyde métallique ou de semi-métal est déposée sur cette plaquette pour servir d'isolant. Cette couche doit être continue (sans trous) et aussi mince que possible. Actuellement, dans les processeurs les plus performants, cette couche a une épaisseur de cinq particules d'oxyde. Une très fine couche de métal hautement conducteur (par exemple, de l'or) est déposée sur la couche d'oxyde. Un système à trois couches constitue un transistor simple, soit une porte logique d'une puce de processeur.En savoir plus sur les Transistors de puissance MOSFET SiC.Contactez-nous à l'adresse [email protected]