Transistores MOSFET

• Fuentes de alimentación conmutadas,
• Redes inteligentes y HVDC,
• Electromovilidad,
• Instalaciones fotovoltaicas y almacenamiento de energía,
• Calentamiento por inducción,
• Cargadores para vehículos eléctricos,
• Controladores de motores,
• Convertidores de alta tensión,
• Soldadura.

El uso de carburo de silicio (SiC) en los MOSFET de SiC GeneSiC G3R™ permite niveles sin precedentes de rendimiento a altas temperaturas y se traduce en fiabilidad del dispositivo.

Construcción MOSFET G3R™ SiC  permite operar a temperaturas de hasta 175 °C. Gracias a las tecnologías modernas, estos transistores presentan bajas pérdidas de conducción. Además, se caracterizan por una alta resistencia a los cortocircuitos.

MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Semiconductor de Óxido Metálico): una tecnología para la fabricación de transistores de efecto de campo con una puerta aislada y circuitos integrados. Actualmente, es la tecnología básica para la fabricación de la mayoría de los circuitos integrados utilizados en computadoras y es un componente de la tecnología CMOS.

En la tecnología MOSFET, los transistores se fabrican en tres capas. La capa inferior es una oblea cortada de un monocristal de silicio o silicio dopado con germanio. Sobre esta oblea se deposita una capa muy fina de sílice u otro óxido metálico o semimetal que actúa como aislante. Esta capa debe ser continua (sin agujeros), pero lo más fina posible. Actualmente, en los procesadores más avanzados tecnológicamente, esta capa tiene un espesor de cinco partículas de óxido. Sobre la capa de óxido se deposita una capa muy fina de un metal altamente conductor (por ejemplo, oro). Un sistema de tres capas crea un transistor simple o una puerta lógica única en un chip de procesador.

Más información sobre los transistores de potencia MOSFET SIC.

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