MOSFET-Transistoren

MOSFETs werden in verschiedenen technischen Lösungen eingesetzt, darunter:

• Schaltnetzteile
• Smart Grid und HGÜ
• Elektromobilität
• Photovoltaikanlagen und Energiespeicher
• Induktionserwärmung
• Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
• Motorantriebe
• Hochspannungswandler
• Schweißen

Der Einsatz von Siliziumkarbid (SiC) in GeneSiC G3R™ SiC MOSFETs ermöglicht eine beispiellose Hochtemperaturleistung und sorgt für hohe Zuverlässigkeit.

Konstruktion MOSFET G3R™ SiC<  ermöglicht den Betrieb bei Temperaturen bis zu 175 °C. Dank moderner Technologien weisen diese Transistoren geringe Leitungsverluste auf. Darüber hinaus zeichnen sie sich durch eine hohe Kurzschlussfestigkeit aus.

MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) – eine Technologie zur Herstellung von Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und integrierten Schaltungen. Sie ist aktuell die Basistechnologie für die Herstellung der meisten in Computern verwendeten integrierten Schaltungen und Bestandteil der CMOS-Technologie.

In der MOSFET-Technologie werden Transistoren in drei Schichten gefertigt. Die unterste Schicht besteht aus einem Wafer, der aus einem Silizium-Einkristall oder mit Germanium dotiertem Silizium geschnitten ist. Auf diesen Wafer wird eine sehr dünne Schicht aus Siliziumdioxid oder einem anderen Metalloxid bzw. Halbmetall als Isolator aufgebracht. Diese Schicht muss durchgehend (porenfrei) und gleichzeitig so dünn wie möglich sein. In den technologisch fortschrittlichsten Prozessoren besteht diese Schicht aktuell aus fünf Oxidpartikeln. Darüber wird eine sehr dünne Schicht eines hochleitfähigen Metalls (z. B. Gold) abgeschieden. Ein solches Dreischichtsystem bildet einen einfachen Transistor oder ein einzelnes Logikgatter eines Prozessorchips.

Mehr über SiC MOSFET-Leistungstransistoren.

Anfragen an [email protected]