Aktualności

2015-ben egy vonatgyártókból és elektromos berendezések beszállítóiból álló konzorcium tárgyalásokat kezdett a gördülőállomány jövőjéről és a vasúti járművek radikális újításairól. Ezek a megbeszélések, a Horizont 2020 Roll2Rail projektjének részeként, a holnap teljesítmény-félvezető moduljainak műszaki követelményeinek meghatározásához is vezettek. Ezek a modulok a következőket hivatottak biztosítani:

Az elektromágneses emisszió arra a folyamatra utal, amelynek során az elektronikus eszközök nemkívánatos elektromágneses jeleket generálnak és bocsátanak ki a környezetbe. Az elektromágneses imisszió pedig a külső forrásokból származó elektromágneses interferencia elektronikus eszközök működésére gyakorolt ​​hatását jelenti.

A Mitsubishi Electric bemutatta az intelligens teljesítménymodulok (IPM) új G1 sorozatát, amely egy fejlett Si-IGBT chippel rendelkezik, hogy számos kulcsfontosságú teljesítményproblémát kezeljen, és lehetővé tegye a végfelhasználók számára a magas rendszerhatékonyság elérését. A G1 IPM chiptechnológia fejlesztései a Si-IGBT-k néhány inherens hiányosságát hivatottak orvosolni, különösen a motorvezérlési alkalmazásokban. A G1 IPM chipet a legújabb 7. generációs IGBT technológia számos...

Az elektromágneses kompatibilitás (EMC) az elektronikus eszközök tervezésének, gyártásának és használatának fontos szempontja. Az Európai Unión belüli egységes szabványok biztosítása és az elektromágneses interferencia minimalizálása érdekében számos EMC-előírást vezettek be. Íme az Európai Unió főbb EMC-előírásainak és szabványainak áttekintése:

Robbanásbiztos jelzőtorony sokoldalú, energiatakarékos LED-világítással, függőleges és vízszintes vágású lencsékkel. A lencsék és a test polikarbonátból készültek, amely ellenáll a zord körülményeknek.

A modul működése során fellépő áramkiegyensúlyozatlanságot mind a párhuzamosan kapcsolt teljesítménymodulok jellemzői, például az eltérő előremenő feszültségek, mind maga a teljesítményátalakító kialakítása okozhatja. A teljesítménymodulok közötti interfész, például az egyenáramú és váltakozó áramú tápegység csatlakozása, a kapuvezérlő kialakítása és a kapuvezérlő csatlakozása a teljesítménymodulokhoz mind hozzájárulnak a statikus és dinamikus áramkiegyensúlyozatlansághoz a párhuzamosan...

Az olyan alkalmazások, mint a kis meghajtók (100 W-os tartományban), speciális követelményeket támasztanak a tápegység-tervezéssel szemben. A tápegység egy teljesítmény-félvezető modulból és a kapcsolódó alkatrészekből (például kapumeghajtóból, vezérlésből, védelemből és hűtőbordából) áll, amelyeket egyetlen nyomtatott áramköri lapon (NYÁK) szerelnek össze. Ennek a modulnak a legnagyobb hatásfokot kell biztosítania, és rendkívül kompakt kialakítást kell kínálnia. Továbbá elvárás, hogy a...

Az elektromágneses interferencia (EMI) nemkívánatos elektromágneses jelek, amelyek befolyásolhatják az elektronikus eszközök és rendszerek működését. Különböző formákban jelentkezhet, például rádióhullámok, elektromágneses impulzusok, elektromos túlfeszültségek és vezetéses interferencia formájában.

Az ipari IGBT modulokat különféle alkalmazási területeken használják. Mindezen alkalmazásokhoz kompakt, nagy teljesítménysűrűségű, nagy megbízhatóságú és nagy hatásfokú teljesítménymodulokra van szükség, elfogadható áron. Mindezen követelmények teljesítése érdekében fejlesztették ki az SLC technológián alapuló 7. generációs NX IGBT modulokat. A CSTBT™ koncepción alapuló 7. generációs IGBT a dinamikus és statikus veszteségek csökkentésével éri el a magas hatásfokot [2]. A veszteségcsökkentés...

Az elektromágneses kompatibilitás (EMC) a tudomány és a mérnöki tudományok azon területe, amely az elektromágneses interferencia megelőzésével és annak biztosításával foglalkozik, hogy az elektronikus eszközök és rendszerek kölcsönös elektromágneses interferencia nélkül működhessenek egymás mellett. Röviden, az EMC az eszközök azon képességét jelenti, hogy különböző elektromágneses interferenciaforrásokkal rendelkező környezetben működjenek, és minimalizálják azok más eszközökre gyakorolt...

A fordított vezetésű IGBT chipek használata helyet takarít meg, ami az új SLIMDIP tokozás nagyon kompakt kialakítását eredményezi. A SLIMDIP modul olyan védőfunkciókat tartalmaz, mint az alulfeszültség, a rövidzárlat és a túlmelegedés elleni védelem, valamint lineáris kimeneti jelet a tokozás hőmérsékletének jelzésére. A SLIMDIP interfész 3,3 V és 5 V között kompatibilis, és a csatlakozókiosztás leegyszerűsíti a nyomtatott áramköri tervezést.

A 7. generációs IGBT modulokat nemrégiben vezették be ipari alkalmazásokhoz 650 V és 1200 V feszültséggel. Az IGBT modulok ezen új generációja a legújabb integrált áramköri technológiát alkalmazza [1], hogy megfeleljen az ipari teljesítményelektronikai alkalmazások követelményeinek. Mindezek az alkalmazások kihasználják a 7. generációs NX típusú IGBT modulok kiváló tulajdonságait, mint például a kompakt méret, a nagy teljesítménysűrűség, a magas megbízhatóság, a magas hatásfok és a...

A RAFI gombok kiváló minőségű és innovatív kapcsolómegoldások, amelyeket széles körben használnak különféle területeken és iparágakban. Ezek olyan elektromechanikus alkatrészek, amelyek lehetővé teszik az emberi interakciót az elektronikus eszközökkel a felületük megnyomásával.

Ez a megközelítés viszonylag nagy és összetett NYÁK-terveket igényel, hogy megfeleljen a meghajtók és a különálló teljesítményeszközök kombinációjára vonatkozó összes térköz- és elrendezési követelménynek. Egy másik, ugyanilyen összetett probléma az állandó teljesítmény és megbízhatóság fenntartása, amikor a meghajtók és a teljesítményeszközök jellemzői nincsenek megfelelően illeszkedve. Ezen kihívások alternatív megoldása egy integrált teljesítménymodul használata, amely tartalmazza az...

A 7. generációs NX típusú IGBT modulokat a 650 V-os, 1200 V-os és 1700 V-os kategóriákban átfogó portfólióvá fejlesztették, hogy a legjobb megoldást kínálják a különböző teljesítményosztályok számára. A nemrégiben kifejlesztett új CIB (Converter Inverter Brake) modulok és egy 800 A/1200 V-os félhíd modul tovább bővítik ezt a kínálatot. A 7. generációs NX típusú IGBT modulok és az IPM G1 sorozat az SLC tokozási technológián alapulnak, jelentős előrelépést kínálva a termikus ciklusok...

Az 1990-es évek második felében megkezdődött a nagyfeszültségű, például 2500 V és 3300 V feszültségű IGBT teljesítménymodulok fejlesztése és kereskedelmi forgalomba hozatala. Eredetileg ezeket a HV-IGBT-ket nagy teljesítményű és nagy megbízhatóságú alkalmazásokhoz, például vasúti vontatási átalakítókhoz [1] a GTO-k helyettesítésére tervezték. Később számos más nagy teljesítményű alkalmazásban is használták őket.

A teljesítménymodul teljesítménye befolyásolja egy teljesítményelektronikai rendszer teljes teljesítményét. Ezért a teljesítménymodulokat gondosan kell kiválasztani egy adott alkalmazáshoz, figyelembe véve a különböző elektromos és termikus teljesítményparamétereket. A Mitsubishi Electric bemutatta legújabb, 7. generációs ipari IGBT moduljait 650 V és 1200 V feszültséggel [1]. Ezek a modulok már most is kedvező fogadtatásban részesültek a piacon a kulcsfontosságú rendszerkövetelményekkel...

Minden CIB modul egy integrált háromfázisú konverter részből, egy konverter részből (3 fázisú diódás egyenirányító) és egy fék részből áll. A legújabb NX7 CIB modulok felépítése az 1. ábrán látható. Az NX7 CIB modulok a legújabb hetedik generációs CSTBT™ IGBT eszközöket használják relaxált katódmezejű (RFC) diódákkal együtt. Az új hetedik generációs vékonylemezes eszközök elektromos jellemzőit optimalizálták az összteljesítmény-veszteség csökkentése érdekében.