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En 2015, un consorcio de fabricantes de trenes y proveedores de equipos eléctricos inició conversaciones sobre el futuro del material rodante y las innovaciones radicales en los vehículos ferroviarios. Estas conversaciones, en el marco del proyecto Roll2Rail de Horizonte 2020, también condujeron a la definición de los requisitos técnicos para los módulos semiconductores de potencia del futuro. Estos módulos están diseñados para proporcionar:

La emisión electromagnética se refiere al proceso mediante el cual los dispositivos electrónicos generan y emiten señales electromagnéticas no deseadas al entorno. La inmisión electromagnética, a su vez, se refiere al impacto de la interferencia electromagnética de fuentes externas en el funcionamiento de los dispositivos electrónicos.

Mitsubishi Electric ha lanzado la nueva serie G1 de Módulos de Potencia Inteligentes (IPM) con un chip Si-IGBT avanzado para abordar diversos problemas clave de rendimiento y permitir a los usuarios finales lograr una alta eficiencia del sistema. Los avances en la tecnología del chip IPM G1 están diseñados para subsanar algunas de las deficiencias inherentes de los Si-IGBT, especialmente en aplicaciones de control de motores. El chip IPM G1 se desarrolló implementando varias innovaciones...

La compatibilidad electromagnética (CEM) es un aspecto importante del diseño, la producción y el uso de dispositivos electrónicos. Para garantizar la coherencia de los estándares y minimizar las interferencias electromagnéticas en la Unión Europea, se han introducido diversas regulaciones de CEM. A continuación, se presenta un resumen de las principales regulaciones y estándares de CEM en la Unión Europea:

Torre de señalización a prueba de explosiones equipada con iluminación LED versátil y de bajo consumo con lentes de corte vertical y horizontal. Las lentes y el cuerpo están hechos de policarbonato, resistente a condiciones adversas.

El desequilibrio de corriente durante el funcionamiento del módulo puede deberse tanto a las características de los módulos de potencia conectados en paralelo, como a las diferentes tensiones directas, como al diseño del propio convertidor de potencia. La interfaz entre los módulos de potencia, como la conexión de la fuente de alimentación de CC y CA, el diseño del controlador de puerta y la conexión de este a los módulos de potencia, contribuyen al desequilibrio de corriente estática y...

Aplicaciones como las unidades pequeñas (en el rango de 100 W) presentan requisitos específicos para el diseño de la fuente de alimentación. La fuente de alimentación consta de un módulo semiconductor de potencia y componentes asociados (como el controlador de compuerta, el control, la protección y el disipador de calor) que se ensamblan mediante una única placa de circuito impreso (PCB). Este módulo debe garantizar la máxima eficiencia y ofrecer un diseño muy compacto. Además, se espera que...

La interferencia electromagnética (EMI) consiste en señales electromagnéticas no deseadas que pueden afectar el funcionamiento de dispositivos y sistemas electrónicos. Se presenta en diversas formas, como ondas de radio, pulsos electromagnéticos, sobretensiones eléctricas e interferencias conductivas.

Los módulos IGBT industriales se utilizan en diversas áreas de aplicación. Todas estas aplicaciones requieren módulos de potencia compactos con alta densidad de potencia, alta fiabilidad y alta eficiencia a un coste razonable. Para satisfacer todos estos requisitos, se desarrollaron los módulos IGBT NX de 7.ª generación basados ​​en tecnología SLC. Los IGBT de 7.ª generación, basados ​​en el concepto CSTBT™, logran una alta eficiencia al reducir las pérdidas dinámicas y estáticas [2]. La...

La compatibilidad electromagnética (CEM) es un campo de la ciencia y la ingeniería que se ocupa de prevenir las interferencias electromagnéticas y garantizar que los dispositivos y sistemas electrónicos puedan funcionar en paralelo sin interferencias electromagnéticas mutuas. En resumen, la CEM se refiere a la capacidad de los dispositivos para operar en entornos con diversas fuentes de interferencia electromagnética y minimizar su impacto en otros dispositivos.

El uso de chips IGBT de conducción inversa ahorra espacio, lo que resulta en un diseño muy compacto para el nuevo encapsulado SLIMDIP. El módulo SLIMDIP incluye funciones de protección como subtensión, cortocircuito y sobrecalentamiento, así como una señal de salida lineal para la temperatura del encapsulado. La interfaz SLIMDIP es compatible con voltajes de 3,3 V a 5 V, y la distribución de pines simplifica el diseño de circuitos impresos.

Los módulos IGBT de séptima generación con voltajes de 650 V y 1200 V se introdujeron recientemente para aplicaciones industriales. Esta nueva generación de módulos IGBT utiliza la última tecnología de circuitos integrados [1] para satisfacer los requisitos de las aplicaciones de electrónica de potencia industrial. Todas estas aplicaciones aprovechan las excelentes características de los módulos IGBT tipo NX de séptima generación, como su compacidad, alta densidad de potencia, alta...

Los botones RAFI son soluciones de interruptores innovadoras y de alta calidad, ampliamente utilizadas en diversos campos e industrias. Son componentes electromecánicos que permiten la interacción humana con dispositivos electrónicos presionando sus superficies.

Este enfoque requiere diseños de PCB relativamente grandes y complejos para cumplir con todos los requisitos de espaciado y diseño para la combinación de controladores y dispositivos de potencia discretos. Otro problema igualmente complejo es mantener un rendimiento y una fiabilidad constantes cuando las características de los controladores y los dispositivos de potencia no coinciden correctamente. Una solución alternativa a estos desafíos es utilizar un módulo de potencia integrado que...

Los módulos IGBT tipo NX de 7.ª generación, en las categorías de 650 V, 1200 V y 1700 V, se han desarrollado para formar una cartera completa que ofrece la mejor solución para diversas clases de potencia. Los nuevos módulos CIB (Convertidor-Inversor-Freno), desarrollados recientemente, y un módulo de medio puente de 800 A/1200 V amplían aún más esta oferta. Los módulos IGBT tipo NX de 7.ª generación y la serie IPM G1 se basan en la tecnología de encapsulado SLC, que ofrece avances...

En la segunda mitad de la década de 1990, comenzó el desarrollo y la comercialización de módulos de potencia IGBT con altos voltajes, como 2500 V y 3300 V. Originalmente, estos IGBT de alta tensión se diseñaron como reemplazo de los GTO para aplicaciones de alta potencia y alta confiabilidad, como los convertidores de tracción ferroviaria [1]. Posteriormente, también se utilizaron en muchas otras aplicaciones de alta potencia.

El rendimiento de los módulos de potencia afecta el rendimiento general de un sistema electrónico de potencia. Por lo tanto, es fundamental seleccionar cuidadosamente los módulos de potencia para cada aplicación específica, considerando diversos parámetros de rendimiento eléctrico y térmico. Mitsubishi Electric ha presentado sus últimos módulos IGBT industriales de séptima generación con tensiones de 650 V y 1200 V [1]. Estos módulos han tenido una excelente acogida en el mercado gracias a...

Cada módulo CIB consta de una sección de convertidor trifásico integrado, una sección de convertidor (rectificador de diodos trifásico) y una sección de freno. La línea de los últimos módulos NX7 CIB se muestra en la Figura 1. Los módulos NX7 CIB utilizan los últimos dispositivos IGBT CSTBT™ de séptima generación junto con diodos de campo relajado del cátodo (RFC). Las características eléctricas de los nuevos dispositivos de placa delgada de séptima generación se han optimizado para reducir...