Nachrichten

Im Jahr 2015 begann ein Konsortium aus Zugherstellern und Anbietern elektrischer Ausrüstung Gespräche über die Zukunft des Schienenfahrzeugbaus und grundlegende Innovationen in diesem Bereich. Diese Gespräche, die im Rahmen des Projekts Roll2Rail aus Horizon 2020 stattfanden, führten auch zur Definition der technischen Anforderungen an die Leistungshalbleitermodule von morgen. Diese Module sollen Folgendes leisten:

Elektromagnetische Emission bezeichnet den Prozess, durch den elektronische Geräte unerwünschte elektromagnetische Signale in die Umgebung abgeben. Elektromagnetische Immission hingegen bezeichnet die Auswirkungen elektromagnetischer Störungen von externen Quellen auf den Betrieb elektronischer Geräte.

Mitsubishi Electric hat eine neue Serie intelligenter Leistungsmodule (IPMs) der G1-Serie mit einem fortschrittlichen Si-IGBT-Chip auf den Markt gebracht. Diese Module adressieren mehrere wichtige Leistungsprobleme und ermöglichen Endanwendern eine hohe Systemeffizienz. Die Weiterentwicklungen der G1-IPM-Chiptechnologie beheben einige der systembedingten Schwächen von Si-IGBTs, insbesondere in Motorsteuerungsanwendungen. Der G1-IPM-Chip wurde durch die Implementierung mehrerer wichtiger...

Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) ist ein wichtiger Aspekt bei der Entwicklung, Herstellung und Verwendung elektronischer Geräte. Um einheitliche Standards zu gewährleisten und elektromagnetische Störungen innerhalb der Europäischen Union zu minimieren, wurden verschiedene EMV-Vorschriften eingeführt. Hier finden Sie eine Übersicht der wichtigsten EMV-Vorschriften und -Normen in der Europäischen Union:

Explosionsgeschützter Signalmast mit vielseitiger, energieeffizienter LED-Beleuchtung mit vertikal und horizontal geschnittenen Linsen. Linsen und Gehäuse bestehen aus Polycarbonat, das widerstandsfähig gegen raue Bedingungen ist.

Stromungleichgewichte im Modulbetrieb können sowohl durch die Eigenschaften parallelgeschalteter Leistungsmodule, wie z. B. unterschiedliche Vorwärtsspannungen, als auch durch die Auslegung des Leistungswandlers selbst verursacht werden. Die Schnittstellen zwischen den Leistungsmodulen, wie z. B. die Gleich- und Wechselstromversorgung, die Gate-Treiber-Auslegung und die Verbindung des Gate-Treibers mit den Leistungsmodulen, tragen alle zu statischen und dynamischen Stromungleichgewichten in...

Anwendungen wie kleine Antriebe (im 100-W-Bereich) stellen besondere Anforderungen an die Stromversorgung. Diese besteht aus einem Leistungshalbleitermodul und zugehörigen Komponenten (wie Gate-Treiber, Steuerung, Schutzschaltung und Kühlkörper), die auf einer einzigen Leiterplatte (PCB) montiert werden. Das Modul muss höchste Effizienz und ein besonders kompaktes Design ermöglichen. Zudem sollte es sich mit minimalem Aufwand auf einer Leiterplatte montieren lassen. Um den speziellen...

Elektromagnetische Störungen (EMI) sind unerwünschte elektromagnetische Signale, die den Betrieb elektronischer Geräte und Systeme beeinträchtigen können. Sie treten in verschiedenen Formen auf, wie z. B. Radiowellen, elektromagnetische Impulse, elektrische Überspannungen und leitungsgebundene Störungen.

Industrielle IGBT-Module werden in verschiedenen Anwendungsbereichen eingesetzt. Alle diese Anwendungen erfordern kompakte Leistungsmodule mit hoher Leistungsdichte, hoher Zuverlässigkeit und hohem Wirkungsgrad zu einem angemessenen Preis. Um all diese Anforderungen zu erfüllen, wurden die NX-IGBT-Module der 7. Generation auf Basis der SLC-Technologie entwickelt. Die IGBT der 7. Generation, basierend auf dem CSTBT™-Konzept, erzielt einen hohen Wirkungsgrad durch die Reduzierung dynamischer...

Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) ist ein Wissenschafts- und Ingenieurgebiet, das sich mit der Vermeidung elektromagnetischer Störungen und der Gewährleistung des reibungslosen Betriebs elektronischer Geräte und Systeme befasst. Kurz gesagt, EMV beschreibt die Fähigkeit von Geräten, in Umgebungen mit verschiedenen elektromagnetischen Störquellen zu funktionieren und deren Auswirkungen auf andere Geräte zu minimieren.

Die Verwendung von IGBT-Chips mit umgekehrter Leiterrichtung spart Platz und ermöglicht so ein sehr kompaktes Design des neuen SLIMDIP-Gehäuses. Das SLIMDIP-Modul verfügt über Schutzfunktionen wie Unterspannungs-, Kurzschluss- und Überhitzungsschutz sowie ein lineares Ausgangssignal zur Messung der Gehäusetemperatur. Die SLIMDIP-Schnittstelle ist mit 3,3 V bis 5 V kompatibel, und die Pinbelegung vereinfacht das Leiterplattendesign.

Kürzlich wurden IGBT-Module der 7. Generation mit Spannungen von 650 V und 1200 V für industrielle Anwendungen eingeführt. Diese neue Generation von IGBT-Modulen nutzt modernste integrierte Schaltungstechnik [1], um die Anforderungen industrieller Leistungselektronikanwendungen zu erfüllen. Alle diese Anwendungen profitieren von den hervorragenden Eigenschaften der IGBT-Module vom Typ NX der 7. Generation, wie Kompaktheit, hoher Leistungsdichte, hoher Zuverlässigkeit, hohem Wirkungsgrad und...

RAFI-Taster sind hochwertige und innovative Schalterlösungen, die in verschiedenen Bereichen und Branchen weit verbreitet sind. Es handelt sich um elektromechanische Bauteile, die die Interaktion des Menschen mit elektronischen Geräten durch Drücken ihrer Oberfläche ermöglichen.

Dieser Ansatz erfordert relativ große und komplexe Leiterplatten, um alle Anforderungen an Abstand und Layout für die Kombination aus Treibern und diskreten Leistungshalbleitern zu erfüllen. Ein weiteres, ebenso komplexes Problem ist die Gewährleistung gleichbleibender Leistung und Zuverlässigkeit, wenn die Eigenschaften der Treiber und Leistungshalbleiter nicht optimal aufeinander abgestimmt sind. Eine alternative Lösung bietet ein integriertes Leistungsmodul, das alle benötigten...

Die IGBT-Module der 7. Generation vom Typ NX in den Spannungsklassen 650 V, 1200 V und 1700 V wurden zu einem umfassenden Portfolio weiterentwickelt, um optimale Lösungen für verschiedene Leistungsklassen zu bieten. Neu entwickelte CIB-Module (Converter Inverter Brake) und ein 800-A/1200-V-Halbbrückenmodul erweitern dieses Angebot zusätzlich. Die IGBT-Module der 7. Generation vom Typ NX und die IPM-G1-Serie basieren auf der SLC-Gehäusetechnologie und bieten deutliche Verbesserungen in der...

In der zweiten Hälfte der 1990er-Jahre begann die Entwicklung und Vermarktung von IGBT-Leistungsmodulen mit hohen Spannungen wie 2500 V und 3300 V. Ursprünglich waren diese HV-IGBTs als Ersatz für GTOs in Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Zuverlässigkeit, beispielsweise in Bahnstromrichtern [1], konzipiert. Später wurden sie auch in vielen anderen Hochleistungsanwendungen eingesetzt.

Die Leistungsfähigkeit von Leistungsmodulen beeinflusst die Gesamtleistung eines leistungselektronischen Systems. Daher müssen Leistungsmodule für eine spezifische Anwendung sorgfältig ausgewählt werden, wobei verschiedene elektrische und thermische Leistungsparameter zu berücksichtigen sind. Mitsubishi Electric hat seine neuesten industriellen IGBT-Module der 7. Generation mit Spannungen von 650 V und 1200 V vorgestellt [1]. Diese Module haben sich aufgrund ihrer Vorteile hinsichtlich...

Jedes CIB-Modul besteht aus einem integrierten dreiphasigen Umrichterteil, einem Umrichterteil (dreiphasiger Diodengleichrichter) und einem Bremsteil. Die Produktpalette der neuesten NX7 CIB-Module ist in Abbildung 1 dargestellt. NX7 CIB-Module verwenden die neuesten CSTBT™-IGBT-Bauelemente der siebten Generation in Verbindung mit Relaxed Field of Cathode (RFC)-Dioden. Die elektrischen Eigenschaften der neuen Dünnplattenbauelemente der siebten Generation wurden optimiert, um die...