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Las aplicaciones de conversión de energía siempre han requerido una alta eficiencia, manteniendo la calidad de energía requerida. El perfil armónico de salida se puede mejorar aumentando la frecuencia de conmutación. Sin embargo, aumentar la frecuencia de conmutación compromete la eficiencia del inversor. Históricamente, los inversores convencionales de dos etapas han servido a la industria con una topología aparentemente simple, donde los desarrolladores siempre han tenido que equilibrar la...

El 29 de septiembre de 2015, MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION lanzó el primer producto de su nueva familia de IGBT de alta tensión Serie X [1]: un módulo IGBT con una tensión de bloqueo de 6500 V y una corriente nominal de 1000 A. El CM1000HG-130XA es el dispositivo con la mayor potencia nominal del sector para esta clase de tensión (temperatura de funcionamiento: 150 °C). Un aspecto clave del diseño de la Serie X es la combinación de la reconocida y probada tecnología de encapsulado de la...

Las principales aplicaciones de los módulos IGBT de 3300 V, como tracción, variadores de media tensión y transmisión y distribución de energía, requieren la minimización absoluta de fallos de campo. Considerando todas las posibles condiciones de funcionamiento más desfavorables, es necesario garantizar que el dispositivo funcione de forma segura dentro de sus especificaciones técnicas. Sin embargo, en la práctica, no siempre es posible predecir todas las condiciones de funcionamiento más...

La topología del módulo de potencia es de medio puente. El objetivo principal de crear un módulo dual de este tipo es reducir su inductancia parásita interna. Para minimizar el pico de tensión interna, una de las limitaciones para mantener la corriente de salida máxima del inversor dentro del RBSOA (Área de Operación Segura Inversa), es necesario reducir la inductancia parásita del módulo. Cada nueva generación de circuitos integrados presenta una mayor caída de corriente di/dt, lo que...

Los módulos de potencia de SiC actualmente disponibles de Mitsubishi Electric (ver Figura 1) pertenecen a la primera fase de comercialización de la tecnología de SiC, que comenzó alrededor de 2010.

La nueva familia de controladores de compuerta NTC SCALE-iFlex LT de PI proporciona datos de coeficiente de temperatura negativo (NTC), lo que permite una gestión térmica precisa de los sistemas de conversión y garantiza una adaptación de corriente adecuada. Mejora drásticamente la fiabilidad general de los sistemas de energía renovable y ferroviarios con múltiples módulos dispuestos en paralelo.

Este texto busca proporcionar una guía práctica para quienes necesitan evaluar los requisitos de seguridad en plantas industriales donde se procesan grandes cantidades de partículas combustibles (polvo). Desde la perspectiva de la seguridad del proceso, es recomendable realizar pruebas de polvo para determinar el riesgo. ¿Qué polvos deben analizarse? ¿Qué pruebas son necesarias? ¿Cuándo se pueden utilizar los valores obtenidos de fuentes publicadas? Estos son algunos de los temas que se...

Mitsubishi Electric comenzó a desarrollar IGBT de 4500 V a mediados de la década de 1990. La comercialización de módulos IGBT estándar en esta clase de voltaje comenzó a principios de la década de 2000. Esto ofreció una solución más eficiente y compacta en comparación con los dispositivos GTO de 4500 V preempaquetados existentes. Este desarrollo se debió principalmente a aplicaciones en ferrocarriles y variadores de media tensión. Actualmente, existe una amplia variedad de módulos IGBT de...

Los chips semiconductores de carburo de silicio (SiC) se consideran una innovación clave en la electrónica de potencia moderna. En comparación con los chips de silicio (Si) clásicos, el SiC permite convertidores más eficientes y compactos, ahorrando electricidad y materiales valiosos.

A medida que crece el número y la complejidad de los dispositivos electrónicos, la necesidad de garantizar su funcionamiento armonioso y la coexistencia entre ellos cobra cada vez mayor importancia. Por lo tanto, es fundamental destacar la importancia de la compatibilidad electromagnética. A continuación, se presentan algunos aspectos clave que la subrayan:

Las actividades de investigación de SiC en Japón están coordinadas por NEDO (Organización para el Desarrollo Industrial y de Nuevas Energías). NEDO es la mayor organización pública de investigación y desarrollo de Japón y coordina esfuerzos de innovación en direcciones estratégicas. El desarrollo de módulos de potencia de SiC de alta densidad y alto voltaje de aislamiento es una de las principales líneas de investigación y desarrollo de NEDO, y Mitsubishi Electric es un actor clave en este...

A continuación se presentan algunos puntos importantes a tener en cuenta al diseñar su equipo teniendo en cuenta la compatibilidad electromagnética (EMC):

Mitsubishi Electric cuenta con una amplia experiencia y un largo historial en el desarrollo de módulos de 1700 V para aplicaciones ferroviarias desde principios de este siglo. Este año, Mitsubishi Electric presentó la última generación de módulos de potencia IGBT de 1700 V, la serie X, que satisface los requisitos de las aplicaciones ferroviarias. La Figura 1 muestra el desarrollo histórico de los módulos HVIGBT de 1700 V, indicando la reducción continua de la tensión directa de los IGBT....

Los equipos electrónicos de potencia están expuestos a condiciones ambientales extremas durante su funcionamiento, como polvo, temperatura, humedad, vibraciones y productos químicos. El perfil de temperatura y humedad varía considerablemente según la aplicación y el lugar de operación.

Los dispositivos electrónicos modernos se utilizan en diversos entornos y están expuestos a diversas condiciones de funcionamiento, y su fiabilidad es fundamental para los usuarios. Estos son algunos factores que influyen en la fiabilidad y durabilidad de los dispositivos electrónicos:

La frecuencia de conmutación en estas aplicaciones suele ser superior a 20 kHz, lo que supera el rango para el que están optimizados los módulos IGBT industriales estándar. Durante varios años, Mitsubishi Electric ha ofrecido una serie especial de módulos IGBT dedicada a estas aplicaciones de alta frecuencia, denominada serie NFH. Para reducir las pérdidas de conmutación, utiliza IGBT con un equilibrio óptimo entre la tensión directa Vce(sat) y las pérdidas por refrigeración Eoff. Como...

El diseño y la disposición adecuados de los circuitos buscan minimizar las emisiones de interferencias electromagnéticas y garantizar la inmunidad a las interferencias externas. A continuación, se presentan algunos aspectos clave del diseño y la disposición de circuitos relacionados con la EMC:

Reducir el dióxido de carbono y usar la electricidad de forma responsable son factores clave para una sociedad más sostenible en el futuro. El carburo de silicio (SiC), gracias a sus excelentes propiedades físicas, puede ayudar a ahorrar aún más electricidad y a hacer que los convertidores electrónicos de potencia sean más compactos, reduciendo así el consumo de materiales y recursos valiosos.