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Les applications de conversion de puissance ont toujours dû offrir un rendement élevé tout en maintenant la qualité de puissance requise. Le profil harmonique de sortie peut être amélioré en augmentant la fréquence de commutation. Cependant, cette augmentation compromet le rendement de l'onduleur. Historiquement, les onduleurs conventionnels à deux étages ont servi l'industrie grâce à une topologie apparemment simple, où les concepteurs devaient constamment trouver un compromis entre...

Le 29 septembre 2015, MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION a lancé le premier produit de sa nouvelle famille d'IGBT haute tension X-Series [1] : un module IGBT avec une tension de blocage de 6 500 V et un courant nominal de 1 000 A. Le CM1000HG-130XA est le composant le plus performant du marché pour cette classe de tension (température de fonctionnement : 150 °C). Un aspect clé de la conception de la série X réside dans l'association de la technologie de boîtier éprouvée de la série R avec des...

Les principales applications des modules IGBT 3300 V, telles que la traction, les entraînements moyenne tension, ainsi que le transport et la distribution d'énergie, exigent une réduction absolue des défaillances sur le terrain. Compte tenu de toutes les conditions de fonctionnement les plus défavorables, il est nécessaire de garantir le fonctionnement sûr du dispositif, conformément à ses spécifications techniques. Cependant, en pratique, il n'est pas toujours possible de prévoir toutes les...

La topologie du module de puissance est un demi-pont. L'objectif principal de la création d'un tel module double est de réduire son inductance parasite interne. Afin de minimiser la surtension interne – une des contraintes pour maintenir le courant de sortie maximal de l'onduleur dans la zone de fonctionnement sûr en inverse (RBSOA) – il est nécessaire de réduire l'inductance parasite du module. Chaque nouvelle génération de circuits intégrés présente une chute de courant di/dt plus...

Les modules de puissance SiC actuellement disponibles chez Mitsubishi Electric (voir figure 1) appartiennent à la première phase de commercialisation de la technologie SiC, qui a débuté vers 2010.

La nouvelle gamme de drivers de grille SCALE-iFlex LT NTC de PI fournit des données de coefficient de température négatif (NTC), permettant une gestion thermique précise des systèmes de conversion et garantissant une adaptation optimale du courant. Elle améliore considérablement la fiabilité globale des systèmes d'énergies renouvelables et ferroviaires comportant plusieurs modules montés en parallèle.

Ce texte vise à fournir des conseils pratiques aux personnes confrontées à l'évaluation des exigences de sécurité dans les installations industrielles où des particules combustibles (poussières) sont traitées en grande quantité. Du point de vue de la sécurité des procédés, il est conseillé de tester les poussières afin d'en déterminer le risque. Quelles poussières doivent être testées ? Quels tests sont nécessaires ? Quand peut-on utiliser les valeurs issues de sources publiées ? Ce sont là...

Mitsubishi Electric a commencé le développement des IGBT 4500 V au milieu des années 1990. La commercialisation des modules IGBT standard de cette tension a débuté au début des années 2000. Ces modules offraient une solution plus efficace et compacte que les dispositifs GTO 4500 V à boîtier pressé existants. Ce développement était principalement motivé par les applications ferroviaires et les entraînements moyenne tension. Aujourd'hui, une large gamme de modules IGBT 4500 V est disponible,...

Les puces semi-conductrices en carbure de silicium (SiC) sont considérées comme une innovation majeure dans l'électronique de puissance moderne. Comparées aux puces classiques en silicium (Si), les puces SiC permettent de réaliser des convertisseurs plus efficaces et plus compacts, ce qui permet d'économiser de l'électricité et des matériaux précieux.

Avec la multiplication et la complexification des appareils électroniques, il devient crucial d'assurer leur fonctionnement harmonieux et leur coexistence. C'est pourquoi il est important de souligner l'importance de la compatibilité électromagnétique. Voici quelques aspects clés qui en soulignent l'importance :

Au Japon, les activités de recherche sur le carbure de silicium (SiC) sont coordonnées par la NEDO (New Energy and Industrial Development Organization). La NEDO est le plus grand organisme public de recherche et développement du Japon, qui coordonne les efforts d'innovation selon des orientations stratégiques. Le développement de modules de puissance en SiC à haute densité et à haute tension d'isolation constitue l'un des principaux axes de recherche et développement de la NEDO, et Mitsubishi...

Voici quelques points importants à prendre en compte lors de la conception de votre équipement en tenant compte de la CEM :

Mitsubishi Electric bénéficie d'une longue expérience dans le développement de modules 1700 V pour applications ferroviaires depuis le début du siècle. Cette année, MITSUBISHI ELECTRIC a lancé la dernière génération de modules de puissance IGBT 1700 V, la série X, répondant aux exigences des applications ferroviaires. La figure 1 illustre l'évolution des modules HVIGBT 1700 V, mettant en évidence la réduction continue de la tension directe des IGBT. Cette tension directe contribue à la...

Les composants électroniques de puissance sont exposés à des conditions environnementales extrêmes pendant leur fonctionnement, telles que la poussière, les variations de température et d'humidité, les vibrations et les produits chimiques. Le profil de température et d'humidité varie considérablement selon l'application et le lieu d'exploitation.

Les appareils électroniques modernes sont utilisés dans des environnements variés et soumis à des conditions d'utilisation diverses ; leur fiabilité est donc primordiale pour les utilisateurs. Voici quelques facteurs qui influencent la fiabilité et la durabilité des appareils électroniques :

La fréquence de commutation dans ces applications est généralement supérieure à 20 kHz, dépassant ainsi la plage d'optimisation des modules IGBT industriels standard. Depuis plusieurs années, Mitsubishi Electric propose une série spéciale de modules IGBT dédiée à ces applications haute fréquence : la série NFH. Afin de réduire les pertes de commutation, cette série utilise des IGBT offrant un compromis optimal entre la tension directe Vce(sat) et les pertes par refroidissement Eoff. Dans une...

Une conception et une implantation de circuit appropriées visent à minimiser les émissions d'interférences électromagnétiques et à garantir l'immunité aux interférences externes. Voici quelques aspects clés de la conception et de l'implantation de circuit liés à la CEM :

Réduire les émissions de dioxyde de carbone et utiliser l'électricité de manière responsable sont des facteurs clés pour une société plus durable à l'avenir. Le carbure de silicium (SiC), grâce à ses excellentes propriétés physiques, peut contribuer à économiser encore plus d'électricité et à rendre les convertisseurs électroniques de puissance plus compacts, réduisant ainsi la consommation de matériaux et de ressources précieux.