MOSFET tranzistoriai | VISHAY (IR)

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors -...
Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Korpusas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
more... less
V(RD)DSS įtampa
more... less
Rds(on)
more... less
In stock
more... less
Środowisko
Filter
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
Produkto pavadinimas
Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
Korpusas
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
Pastovi srovė IC kai Tc=25oC
V(RD)DSS įtampa
Rds(on)
picture_as_pdf IRFR024N MOSFET tranzistorius Vishay IRFR024N MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFR024N Galimas kiekis D-Pak 10:00 AM -- 16 A 55 V 0,075 Ohm
picture_as_pdf IRFR9024 MOSFET tranzistorius Vishay IRFR9024 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFR9024 Galimas kiekis D-Pak -5,6 A -- -8,8 A -60 V 0,28 Ohm
picture_as_pdf IRFU9120 MOSFET tranzistorius Vishay IRFU9120 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFU9120 Galimas kiekis I-Pak -4,1 A -- -6,5 A -100 V 0,48 Ohm
picture_as_pdf IRFZ34NS MOSFET tranzistorius Vishay IRFZ34NS MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFZ34NS Galimas kiekis D2-PAK 20 A -- 29 A 55 V 0,04 Ohm
picture_as_pdf IRLIZ14G MOSFET tranzistorius Vishay IRLIZ14G MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRLIZ14G Galimas kiekis TO-220 Full Pack 5,7 A -- 8:00 AM 60 V 0,2 Ohm
picture_as_pdf IRLML6302 MOSFET tranzistorius Vishay IRLML6302 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRLML6302 Galimas kiekis -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf IRLR024N MOSFET tranzistorius Vishay IRLR024N MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRLR024N Galimas kiekis D-Pak 11:00 AM -- 17 A 55 V 0,065 Ohm
picture_as_pdf IRFP460 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP460 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP460 Galimas kiekis TO-247 13 A -- 20 A 500 V 0,27 Ohm
picture_as_pdf IRFP350 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP350 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP350 Galimas kiekis TO-247 10:00 AM -- 16 A 400 V 0,3 Ohm
picture_as_pdf IRFP260 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP260 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP260 Galimas kiekis TO-247 29 A -- 46 A 200 V 0,055 Ohm
picture_as_pdf IRFBE30 MOSFET tranzistorius Vishay IRFBE30 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFBE30 Galimas kiekis TO-220AB 2,6 A -- 4,1 A 800 V 3 Ohm
picture_as_pdf IRFD014 MOSFET tranzistorius Vishay IRFD014 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFD014 Galimas kiekis HEXDIP 1,2 A -- 1,7 A 60 V 0,2 Ohm
picture_as_pdf IRFD110 MOSFET tranzistorius Vishay IRFD110 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFD110 Galimas kiekis HEXDIP 0,71 A -- 1:00 AM 100 V 0,54 Ohm
picture_as_pdf IRFD220 MOSFET tranzistorius Vishay IRFD220 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFD220 Galimas kiekis HEXDIP 0,5 A -- 0,8 A 200 V 0,8 Ohm
picture_as_pdf IRFD9024 MOSFET tranzistorius Vishay IRFD9024 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFD9024 Galimas kiekis HEXDIP -1,1 A -- -1,6 A -60 V 0,28 Ohm
picture_as_pdf IRFD9120 MOSFET tranzistorius Vishay IRFD9120 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFD9120 Galimas kiekis HEXDIP -0,7 A -- -1 A -100 V 0,6 Ohm
picture_as_pdf IRFI614G MOSFET tranzistorius Vishay IRFI614G MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFI614G Galimas kiekis TO-220 Full Pack 1,3 A -- 2,1 A 250 V 2 Ohm
picture_as_pdf IRFI840G MOSFET tranzistorius Vishay IRFI840G MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFI840G Galimas kiekis TO-220 Full Pack 2,9 A -- 4,6 A 500 V 0,85 Ohm
picture_as_pdf IRFIBE30G MOSFET tranzistorius Vishay IRFIBE30G MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFIBE30G Galimas kiekis TO-220 Full Pack 1,4 A -- 2,1 A 800 V 3 Ohm
picture_as_pdf IRFL9014 MOSFET tranzistorius Vishay IRFL9014 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFL9014 Galimas kiekis SOT-223 -1,1 A -- -1,8 A -60 V 0,5 Ohm
picture_as_pdf IRFP150 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP150 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP150 Galimas kiekis TO-247 28 A -- 39 A 100 V 0,036 Ohm
picture_as_pdf IRFP244 MOSFET tranzistorius Vishay IRFP244 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRFP244 Galimas kiekis TO-247 9,7 A -- 15 A 250 V 0,28 Ohm
picture_as_pdf IRLU014 MOSFET tranzistorius Vishay IRLU014 MOSFET tranzistorius PAMATYKITE IRLU014 Galimas kiekis -- 7,7 A -- -- 60 V --
Rezultatai puslapyje:

We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.