Jūs turite būti prisijungę
MOSFET tranzistoriai – įmonės VISHAY (IR)
Paveikslėlis | Peržiūrėti produkt | Gamintojo nr. | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | Tranzistoriai MOSFET - VISHAY (IR) | PAMATYKITE | -- | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRF830A MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRF830A | Galimas kiekis | TO-220AB | 5:00 AM | -- | -- | 500 V | 1,4 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRLBA3803P MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRLBA3803P | Galimas kiekis | SUPER 220 | 126 A | -- | 179 A | 30 V | 0,005 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFB31N20D MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFB31N20D | Galimas kiekis | TO-220AB | 31 A | 22 A | -- | 200 V | 0,082 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFD90N20D MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFD90N20D | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFP2907 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFP2907 | Galimas kiekis | TO-247 | 125 A | -- | 177 A | 75 V | 0,045 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFU110 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFU110 | Galimas kiekis | I-Pak | 2,7 A | -- | 4,3 A | 100 V | 0,54 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFP250 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFP250 | Galimas kiekis | TO-247 | 19 A | -- | 30 A | 200 V | 0,085 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFR9220 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFR9220 | Galimas kiekis | D-Pak | -2,3 A | -- | -3,6 A | -200 V | 1,5 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFR220 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFR220 | Galimas kiekis | D-Pak | 3:00 AM | -- | 4,8 A | 200 V | 0,8 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFB4310 Tranzistorius | PAMATYKITE | IRFB4310 | Galimas kiekis | -- | 140 A | 97 A | -- | 100 V | 0,0056 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFPS59N60C MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFPS59N60C | Galimas kiekis | SUPER 247 | 37 A | -- | 59 A | 600 V | 0,045 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFP260N MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFP260N | Galimas kiekis | TO-247 | 29 A | -- | 46 A | 200 V | 0,055 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | FA57SA50LC Tranzistorius | PAMATYKITE | FA57SA50LC | Galimas kiekis | SOT-227 | 57 A | 36 A | -- | 500 V | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRF7832 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRF7832 | Galimas kiekis | SO-8 | 20 A | -- | -- | 30 V | 0,004 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRF9610. | PAMATYKITE | IRF9610 | Galimas kiekis | TO-220AB | -1,8 A | -1 A | -- | -200 V | 3 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRSF3010 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRSF3010 | Galimas kiekis | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRF820 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRF820 | Galimas kiekis | TO-220AB | 2,5 A | 1,6 A | -- | 500 V | 3 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFD120 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFD120 | Galimas kiekis | HEXDIP | 0,94 A | -- | 1,3 A | 100 V | 0,27 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFI540N MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFI540N | Galimas kiekis | TO-220 Full Pack | 13 A | -- | 18 A | 100 V | 0,052 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFP22N50A MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFP22N50A | Galimas kiekis | TO-247 | 14 A | -- | 22 A | 500 V | 0,23 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFP360 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFP360 | Galimas kiekis | TO-247 | 14 A | -- | 23 A | 400 V | 0,2 Ohm |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFP90N20D MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFP90N20D | Galimas kiekis | -- | 116 A | -- | -- | 200 V | -- |
picture_as_pdf |
![]() |
Vishay | IRFPG50 MOSFET tranzistorius | PAMATYKITE | IRFPG50 | Galimas kiekis | TO-247 | 3,9 A | -- | 6,1 A | 100 V | 2 Ohm |
Esame patyręs būtinos produkcijos tiekėjas tranzistorių kategorijoje.
Lauko tranzistoriai – siūlome dviejų tipų lauko tranzistorius: MOSFET tranzistorius ir IGBT.
MOSFET lauko tranzistoriai
VISHAY MOSFET tranzistoriai puikiai veikia jungiant lygiagrečiai. Juos galima jungti lygiagrečiai net kelių dešimčių vienetų kiekiu. Juos lengva valdyti, ir jie nereikalauja srovės pasiskirstymo tarp tranzistorių korekcijos.
Patikimi IGBT tranzistoriai
IGBT tranzistoriai pasižymi mažu laidumo įtampos kritimu (nuo 2,15÷5,2 V) esant didelėms srovėms (10÷3600 A), gebėjimu blokuoti aukštą įtampą (250÷6500 V), įtampiniu valdymu per izoliuotą vartus bei dideliu perjungimo greičiu. Gaminami kaip standartiniai moduliai, aukšto dažnio moduliai, aukštos įtampos moduliai ir išmanieji bei aukštos įtampos išmanieji moduliai. Taip pat siūlomi aukštos įtampos diodiniai moduliai, skirti naudoti su IGBT tranzistoriais.
Išmanieji IGBT moduliai be tranzistorių taip pat turi valdymo grandines bei apsaugą nuo trumpojo jungimo ir viršįtampių.