G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET
G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

please use latin characters

G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET

  • G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET 35141
  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 5 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 1000 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 1700 V
19,68 PLN
19,68 PLN Cena brutto/szt.
16,00 PLN Cena netto/szt.
Tax included

Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie

Można złożyć zamówienie wstepne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.

Obecnie brak na stanie
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 5 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 1000 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В -
  • Напруга UDS 1700 V
Comments (0)